Ss-электрон

Cтраница 4

Поэтому можно сказать, что внешние электроны проникают к ядру через слои внутренних электронов. Как видно из рисунка, внешний Ss-электрон атома натрия обладает весьма значительной вероятностью находиться вблизи ядра в области внутренних К - и L-элек-тронных слоев. [46]

Отличия между изомерными сдвигами в различных соединениях иода определяются в первую очергдь электронной плотностью внешних Ss-электронов. Следует отметить, что плотность Ss-электронов в области ядра сильно зависит от относительного вклада 5р - и Ss-электронов в образование связи атома иода с атомами лигандов. При увеличении числа 5р - электронов общая s - электронная плотность должна уменьшаться вследствие усиления экранирования Ss-электронов. [47]

Какое же из возможных состояний внешнего электрона атома натрия - 3s, op или 3d - отвечает более слабому экранированию и, следовательно, более сильному притяжению к ядру и более низкой энергии электрона. Как показывает рис. 21, электронное облако Ss-электрона в большей степени проникает в область, занятую электронами К - и L-слоев, и потому экранируется слабее, чем электронное облако Зр-электрона. Следовательно, электрон в состоянии 3s будет сильнее притягиваться к ядру и обладать меньшей энергией, чем электрон в состоянии Зр. Электронное облако Sd-орбитали практически полностью находится вне области, занятой внутренними электронами, экранируется в наибольшей степени и наиболее слабо притягивается к ядру. [48]

Какое же из возможных состояний внешнего электрона атома натрия - 3s, Зр или 3d - отвечает более слабому экранированию и, следовательно, более сильному притяжению к ядру и более низкой энергии электрона. Как показывает рис. 21, электронное облако Ss-электрона в большей степени проникает в область, занятую электронами / С - и L-слоев, и потому экранируется слабее, чем электронное облако Зр-электрона. Следовательно, электрон в состоянии 3s будет сильнее притягиваться к ядру и обладать меньшей энергией, чем электрон в состоянии Зр. [49]

Какое же из возможных состояний внешнего электрона атома натрия - 3s, Зр или 3d - отвечает более слабому экранированию к, следовательно, более сильному притяжению к ядру и более низкой энергии электрона. Как показывает рис. 21, электронное облако Ss-электрона в большей степени проникает в область, занятую электронами К - и L-слоев, и потому экранируется слабее, чем электронное облако Зр-электрона. Следовательно, электрон в состоянии 3s будет сильнее притягиваться к ядру и обладать меньшей энергией, чем электрон в состоянии Зр. Электронное облако Sd-орбитали практически полностью находится вне области, занятой внутренними электронами, экранируется в наибольшей степени и наиболее слабо притягивается к ядру. [50]

Эффект возникает косвенным путем - rf - электроны экранируют заряд ядра, изменяют электростатический потенциал поля, в котором находятся s - элекгроны. Добавление rf - электрона уменьшает кулонов-ский потенциал, притягивающий Ss-электроны к ядру, и вызывает раоплывание волновой функции Ss-электронов, уменьшая плотность их заряда на ядре. [51]

Алюминий отличается сравнительно низкими первым и вторым ионизационными потенциалами ( 5, 96 и 18, 74 эв) и очень высоким третьим ( 28, 31 эв) ионизационным потенциалом. В результате отделения двух внешних р 5-электронов и сохранения одного Ss-электрона ион алюминия приобретает внешнюю электронную оболочку, имеющую сферическую симметрию. Электронный газ с концентрацией два электрона на атом способствует упаковке сферических ионов алюминия в плотную гранецентрированную кубическую структуру. У галлия образуется ромбическая решетка, сходная с ковалентной решеткой р-графита; атомы галлия образуют деформированные гексагональные сетки, в которых каждый атом имеет трех ближайших соседей ( одного на расстоянии 2 44 А, двух на расстоянии 2 71 А) и, кроме того, двух соседей в смежных слоях на расстоянии 2 74 А. Таким образом, структура носит ковалентный характер с числом связей, приближенно равным пяти. При повышении давления до Юкбар тетрагональность повышается до 1 088, а затем при увеличении давления до 100 - 110 кбар вновь понижается, так что можно ожидать появления ГЦК модификации. Наиболее электроположительный элемент Ilia группы - таллий, подобно кальцию и стронцию, при низких температурах имеет плотную гексагональную решетку. В интервале 262 - 302 5 таллий в результате коллективизации трех внешних электронов и обменного взаимодействия ионов с шестью d - орбиталями образует ОЦК решетку. [52]

Зона же проводимости, образованная внешними орбиталями второго атома, пуста, и переброс в нее электронов требует затраты энергии. В кристалле NaCl, например, все Зр-электроны атомов хлора и Ss-электроны атомов натрия заполняют зону с более низкой энергией, образованную взаимодействием Зр-орбиталей атомов хлора. Электронная проводимость большинства ионных кристаллов примерно на двадцать порядков ниже, чем у металлов. Такие вещества при повышенных температурах проявляют полупроводниковые свойства. [53]

Когда электронное облако обладает сферической симметрией, распределение плотности можно выразить проще - как функцию расстояния от ядра. На рис. 7 показана эта зависимость для Is, 2s и Ss-электронов. [54]

Электронное облако 25-электрона.| Графики радиального распределения вероятности для 2s - ( a и З - электронов ( б. [55]

Однако здесь волновая функция при увеличении расстояния от ядра меняется более сложным образом. Как показывает рис. 12, зависимость ф от г для 2s - и Ss-электронов не является монотонной, на разных расстояниях от ядра волновая функция имеет различный знак, а на соответствующих кривых есть узловые то. [56]

Электронное облако 25-электрона.| Графики радиального распределения вероятности для 2s - ( a и Ss-электронов ( б. [57]

Однако здесь волновая функция при увеличении расстояния от ядра меняется более сложным образом. Как показывает рис. 12, зависимость Ф от г для 2s - и Ss-электронов не является монотонной, на разных расстояниях от ядра волновая функция имеет различный знак, а на соответствующих кривых есть узловые точки ( или узлы), в которых значение волновой функции равно нулю. [58]

Можно видеть, что величина hp изменяется таким же образом, как и изомерный сдвиг, что указывает на линейную зависимость между плотностью Ss-электронов, мерой которой является величина изомерного сдвига, и числом 5р - дырок. Этот важный результат был использован для калибровки значений изомерного сдвига в единицах относительной плотности Ss-электронов. [59]

Спектр ядер Те125, полученный при температуре жидкого азота [131], состоял из двух сильно уширенных линий, в результате разложения которых получен шестилинейный зеемановский спектр со значением / / Те148 5 кэ. Предполагается, что это-магнитное поле на ядрах диамагнитных атомов теллура возникает вследствие спиновой поляризации Ss-электронов Те2, воз пикающей за счет ковалентной связи с магнитными катионами. Существование магнитного поля на ядрах Те125 в шпинели CuCr2Te4 подтверждается также измерениями ЯМР [132], и которых найдено ЯТе 180 кэ. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5