Cтраница 4
Монтаж транзистора должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия 3 - 4 мкм. [46]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. [47]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде, температура пайки не выше 450 С. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия не менее 3 мкм. [48]
Монтаж транзистора рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 01 мм. [49]
Монтаж транзисторов должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [50]
Промышленность выпускает несколько типов установок для ультразвуковой пайки и лужения. [51]
В настоящее время выпускается промышленное оборудование для ультразвуковой пайки и лужения ( паяльники, ванны для лужения) различных типов. На рис. 92, в показано устройство для ультразвуковой пайки. [52]
![]() |
Водоохлаждаемый ультра - [ IMAGE ] Небольшая ванночка с припоем звуковой преобразователь, погру - для ультразвуковой пайки. Охлаждение женный в тигель с припоем воздухом. [53] |
Наконец, еще одним важным узлом оборудования для ультразвуковой пайки является генератор, который подает ток в преобразователь и в нагреватель припоя. Нагрев припоя осуществляют катушками сопротивления или каким-либо иным обычным способом. [54]
Производится также пайка алюминия без применения флюса методом ультразвуковой пайки, при которой окисные пленки разрушаются вследствие воздействия ультразвуковых высокочастотных колебаний. [55]
На рис. 4 - 34 изображен схематически процесс ультразвуковой пайки. Под воздействием кавитации оксидная пленка 4, покрывающая алюминий 5, разрушается, и последний покрывается слоем припоя ( полуды) 6, который, охлаждаясь, затвердевает. [56]
Невысокая температура нагрева и чистота процесса позволяют применять ультразвуковую пайку для присоединения небольших деталей к окончательно подготовленной поверхности. [57]
Монтаж транзисторов в гибридной схеме должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [58]
Монтаж транзистора в состав гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя применяется золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть золоченое, толщина покрытия не менее 3 мкм. [59]
Монтаж транзисторов в составе гибридных микросхем рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Поверхность, на которую напаивается транзистор, должна быть золоченая, толщина покрытия 3 - 4 мкм. [60]