Большинство - диэлектрик
Cтраница 2
Для большинства диэлектриков диэлектрические проницаемости невелики и практически не зависят от напряженности поля. Только для некоторых веществ, называемых сегнетоэлектриками, диэлектрическая проницаемость может иметь величину порядка тысяч и зависит от напряженности поля. [16]
Для большинства диэлектриков относительные диэлектрические проницаемости невелики и практически не зависят от интенсивности электрического поля. Только для некоторых веществ, называемых сегнетоэлектриками, относительная диэлектрическая проницаемость может иметь величину порядка тысяч и в этих случаях зависит от интенсивности электрического поля. [17]
Для большинства диэлектриков коэффициент поляризации а является вещественной величиной и, следовательно, вектор поляризации совпадает по направлению с вектором напряженности электрического поля. [18]
Для большинства диэлектриков относительная диэлектрическая проницаемость невелика - порядка единиц. Только для некоторых диэлектриков, называемых сегнетоэлектриками, е может иметь значение порядка тысяч и зависит от напряженности поля. [19]
Для большинства диэлектриков напряжение, при котором происходит пробой, выражается величиной в несколько киловольт ( а для многих - даже в несколько десятков киловольт) на 1 мм толщины диэлектрика. [20]
Для большинства диэлектриков существует также верхний предел толщины пленки. Например, пленки SiO, полученные напылением в вакууме, при толщинах свыше 50000А часто трескаются и шелушатся из-за механических напряжений. Верхний предел для пленок, полученных анодированием, обычно зависит от напряжения, при котором начинается искрение и пробой во время формирования окисла. [21]
Для большинства диэлектриков величина ет находится в пределах от 2 до 20 ( многие виды керамики, пластмассы, стекло), но отдельные диэлектрики имеют значение относительной диэлектрической проницаемости около тысячи, десятков тысяч и даже сотен тысяч. Высокая диэлектрическая проницаемость таких веществ обусловлена наличием самопроизвольно поляризующихся областей. При охлаждении сегнетоэлектрика ниже определенной для него температуры, называемой точкой Кюри, возникает самопроизвольная поляризация. Максимальное значение ЕТ достигается вблизи точки Кюри. При этом объем сегнетоэлектрика разбивается на области сильной локальной поляризации, эти области называются доминами. В силу беспорядочной ориентации и расположения доменов суммарная поляризация диэлектрика равна нулю. Но при наложении электрического поля происходит переориентация поляризации доменов, степень которой возрастает с увеличением напряженности электрического поля до насыщения. К сегнето-электрикам относятся: сегнетова соль и изоморфные соединения этой соли, содержащие кристаллизационную воду; дигидрофосфат калия и изоморфные ему соли, имеющие в кристаллических решетках контакты между атомами с участием водородных связей; ионные кристаллы со структурой перовскита: титанаты металлов ( ВаТЮз, РЬТЮз), танталаты натрия и калия и др. Известно более 500 сегнетоэ л ектриков. [22]
У большинства диэлектриков электрическая прочность снижается с увеличением частоты тока. [23]
Для большинства используемых диэлектриков проводимость G мала. [24]
Для большинства диэлектриков значения т лежат в пределах 10 2 - 10 0 сек. Различают ориентационную ( дипольную) и ионную тепловую поляризации. [25]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости е ( а и тангенса угла диэлектрических потерь tg б ( б от частоты / для полярного полимера - политрифторхлорэти-лена при различных температурах Т. [26] |
У большинства твердых ионных диэлектриков ( кристаллы, стекла, керамические материалы, ситаллы и др.) е при росте температуры увеличивается ( рис. 15.6, г), что связано с ростом ионной поляризуемости. [27]
 |
Энергетические уровни в проводниках, полупроводниках и диэлектриках. [28] |
В большинстве диэлектриков электропроводность в основном бывает не электронная, а ионная вызванная движением в электрическом поле свободных ионов, появляющихся вследствие диссоциации находящихся в диэлектрике примесей и части молекул самого диэлектрика. [29]
 |
Энергетические уровни в проводниках, полупроводниках и диэлектриках. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5