Большинство - диэлектрик
Cтраница 4
Как отмечено выше, для большинства диэлектриков диэлектрическая восприимчивость ( а следовательно, и диэлектрическая проницаемость е) не зависит от напряженности электрического поля Е и уменьшается с ростом температуры. [46]
Ионная электропроводность - наиболее характерная для большинства диэлектриков - возникает благодаря присутствию в электроизоляционных материалах практически неизбежных загрязнений - воды, солей, кислот, щелочей. Даже весьма малые, с трудом обнаруживаемые химическим анализом примеси способны заметно влиять на проводимость диэлектрика; поэтому при изготовлении диэлектрических материалов следует большое внимание уделять очистке их от примесей. [47]
Как видно из табл. 19.2, большинство диэлектриков имеет значения Л намного меньшие, чем проводниковые материалы. Характерно, что коэффициент теплопроводности у окиси бериллия выше, чем у металлического бериллия. [48]
Заметим, что регулярная поверхностная структура для всех металлов, большинства диэлектриков и полупроводников, многих окислов является в настоящее время строго установленным экспериментальным фактом. Колебания решетки приводят к аддитивной перенормировке энергии взаимодействия. Это, в свою очередь, может модифицировать характер фазового перехода при двумерной конденсации [3], но здесь мы этого обсуждать не будем. [49]
Здесь и далее полагается г - 1, что справедливо для большинства диэлектриков. [50]
 |
Схема измерения образцов с сопротивлением 1011 - 1014 ом-см. Входное сопротивление электрометра должно быть больше 10 ом. [51] |
Было сообщено об измерении подвижности фтора в CaF2 [36], но относительно большинства высокотемпературных диэлектриков нет никаких сведений. Обычно об ионной подвижности судят на основании результатов измерений проводимости, измерений с помощью гальванических элементов, экспериментов по диффузии или спеканию диэлектрических материалов. Для полупроводников с их более низким удельным сопротивлением и электронным механизмом проводимости такие трудности обычно не имеют места. [52]
Обработка в растворах № 1 - 4 при последующем химическом никелировании приемлема для большинства диэлектриков. [53]
В изотропной среде еа - скалярная величина и, так же как коэффициент е, для большинства диэлектриков считается постоянной. [54]
 |
Зависимость динамической вязкости г от температуры для натриево-алюмосиликатно-го стекла. Масштаб по оси ординат-логарифмический. По Ингли-шу ( English. [55] |
Таким образом, мы можем сделать заключение о том, что при повышении температуры величина у большинства диэлектриков должна увеличиваться, а р - уменьшаться. Ряд примеров будет приведен ниже. [56]
Пленки Та имеют очень хорошую адгезию к слоям меди, а пленки TaN - к слоям двуокиси кремния и большинству диэлектриков с НДП и УНДП. Поэтому барьер часто осаждают как двойную систему ( stack) TaN / Ta, где нитрид тантала граничит с поверхностью диэлектриков, а тантал с поверхностью меди. [57]
В основу этой гипотезы положено явление поверхностной ориентации нейтральных молекул, содержащих полярные группы, а, как известно, большинство диэлектриков содержат полярные группы. В массе вещества дипольные моменты полярных молекул скомпенсированы, а на поверхности нескомпенсированы. В случае контакта с металлом или диэлектриком наблюдается ориентация поверхностных диполей, в связи с чем поверхность приобретает заряд определенной величины и знака. Следовательно, в соответствии с третьей точкой зрения на механизм образования двойного электрического слоя это явление связано с эффектом ориентации диполей. [58]
Преимуществом диэлектрического нагревания является непосредственное выделение тепла в нагреваемом теле, что особенно важно для материалов с низкой теплопроводностью, к которым относится большинство диэлектриков. Диэлектрическое нагревание дает возможность нагрева всей толщины материала в течение короткого промежутка времени до требуемой температуры, без перегрева отдельных частей. Кроме того, диэлектрическое нагревание допускает легкое регулирование процесса нагрева и полную его автоматизацию. [59]
При низких напряженностях поля или низких плотностях фотонных потоков, характерных для обычных некогерентных источников света, диэлектрическая проницаемость, или показатель преломления большинства диэлектриков, почти постоянна и не зависит от напряженности поля. При очень высоких же напряженностях поля или плотностях фотонных потоков, которые можно получить при помощи лазеров большой мощности, картина меняется и в поляризуемости среды приходится учитывать члены более высоких порядков. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5