Большинство - кристалл
Cтраница 1
Большинство кристаллов, однако, анизотропно: их механические, электрические и магнитные свойства различны в разных направлениях. [1]
Большинство кристаллов, кроме кристаллов кубической системы, обладают двойным лучепреломлением. Луч ( электромагнитная волна) по выходе из прозрачного для него кристалла разбивается на два луча, имеющих направления, параллельные первоначальному и ( при достаточно узком пучке и достаточно толстом кристалле) пространственно разделенные. Один из этих лучей называется обыкновенным, другой необыкновенным. [2]
Большинство кристаллов, полученных при обыкновенной температуре из лигроина, имеют habitus фиг. Сюда относятся и все лучшие кристаллы, послужившие для измерения. К сожалению, даже лучшие из них не имеют надлежащей отчетливости образования граней; в рефлексах нельзя видеть нитей сигнала, а часто рефлексы эти расплываются, образуя неправильное светлое пятно. [3]
 |
Профиль линии брэгтовского отражения в кристалле. а идеальном. б мозаичном. [4] |
Большинство кристаллов имеет внутренние напряжения, обусловленные дислокациями. В таких кристаллах энергия внутренних напряжений уменьшается при уходе дислокации из объема кристалла и образовании ими дислокационных стенок ( процесс полигонизации), разделяющих соседние блоки с правильной структурой. В результате образуется мозаичный кристалл, обладающий блочной структурой. Разориентировка блоков обычно составляет доли градуса, а в крупноблочных мозаиках достигает нескольких градусов. [5]
Большинство кристаллов берилла легко различимо, однако размер большей части кристаллов слишком мал для ручной сортировки. Ворчестер считает, что ни одна из богатых бериллом частей жилы, которая может быть обнаружена, не будет содержать значительного количества молибденита и что для промышленной эксплуатации жилы почти невозможно применить какой-либо метод, позволяющий успешно добывать оба минерала. Несомненно, что много дополнительных данных о жиле может быть получено при проходке подземных выработок. [6]
 |
Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в.| Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в HgI2.| Электрофизические свойства карбида бора В4С. [7] |
Большинство кристаллов AIUBVI имеет сложную структуру. [8]
 |
Возможное расположение прожженного канала ( / и глубокий дефект ( 2. [9] |
Большинство кристаллов тиристоров, вышедших из строя, имели прожженный участок, пронизывающий все слои р - n - p - n структуры. [10]
Для большинства кристаллов отношение по / п невелико. То есть обсуждаемый эффект деформации интерференционных фигур в е-лучах не является броским. [11]
Для большинства кристаллов, у которых отношение RA / RO составляет от 0 2 до 0 4, характерно расположение анионов в углах тетраэдра. Поэтому Гольдшмндт пришел к заключению, что тетраэдрическое расположение атомов кислорода вокруг катиона А необходимо для стеклообразования. Его наблюдение было эмпирическим, и он не пытался объяснить, почему стеклообразование должно быть связано с этой особенностью структуры. [12]
Для большинства кристаллов коэффициент А близок к десяти. [13]
Для большинства кристаллов, у которых при достаточно низких температурах был обнаружен такой закон для теплопроводности, отсутствует область температур, где работают другие механизмы рассеяния. Тепловое сопротивление, обусловленное U-процесса-ми, нельзя просто вывести из экспериментальных данных; для его определения требуется детальный анализ. [14]
Для большинства кристаллов характерно поглощение, обусловленное взаимодействием акустич. Под действием звуковой волны возникает колебат. Поглощение возникает за счет диссипации энергии движущейся сети дислокаций ( амплитудно-независимое поглощение), за счет отрыва потель дислокаций с мест их закрепления на точечных дефектах ( амплитудно-зависимое поглощение) и, наконец, за счет взаимодействия дислокаций непосредственно с кристаллич. Частотная зависимость для амплитудно-независимого поглощения носит резонансный характер, для поглощения вблизи пиков Бордопи - релаксационный. Амплитудно-независимое поглощение характерно для гиперзвуковых частот и малых амплитуд колебаний; на более низких частотах и при достаточно больших звуковых интенсивностяк осн. [15]
Страницы: 1 2 3 4