Большинство - кристалл
Cтраница 4
У оптически анизотропных веществ, к которым относится большинство кристаллов ( кроме кристаллов кубической системы), наблюдается двойное лучепреломление - расщепление преломляющегося луча на два луча, распространяющихся с разными скоростями. При этом у так называемых одноосных кристаллов ( гексагональной, тетрагональной и тригональной систем) скорость распространения ( а следовательно, и показатель преломления) одного из лучей, называемого необыкновенным, зависит от его направления. В оптически двуосных кристаллах низкой симметрии ( ромбической, моноклинной и три-клинной систем) скорость распространения обоих преломленных лучей зависит от направления. В данном случае индексы о и е относятся к обыкновенному и необыкновенному лучам, а индексы р, g и от обозначают соответственно наименьший, наибольший и промежуточный показатели в трех взаимно. [46]
Как было показано в разделе 1.3, в большинстве кристаллов с неметаллическими типами связи, находящихся в их основном квантовом состоянии, отвечающем строго регулярному строению кристаллической решетки, все разрешенные уровни энергии в валентной зоне заняты электронами, в то время как в следующей за ней зоне проводимости все уровни свободны. Это приводит к локализованному характеру распределения электронов, исключающему возможность их перемещения по кристаллу. Поэтому неметаллические кристаллы в основном квантовом состоянии являются изоляторами. [47]
 |
Привес образцов MoSi2 при окислении на воздухе, 1500 С. [48] |
Можно сделать вывод, что с повышением температуры силици-рования большинство кристаллов MoSi2 на обеих поверхностях образцов ориентируется таким образом, что кристаллографическая ось С лежит в плоскости образца. [49]
Ясно, что значение коэффициента а1 отвечает случаю когда статистическое большинство кристаллов выборки имеет ку бооктаэдрическую форму. Экстремальные значения коэффици ентов 0 и оо определяют соответственно кубическую и октаэдри ческую форму. [51]
Однако и в этом случае ( за исключением церия) большинство кристаллов демонстрирует незначительные объемные изменения по сравнению со сдвиговыми деформациями. [52]
Диэлектрическая проницаемость неоднородной среды, к которой следует отнести и большинство кристаллов синтетического алмаза, определяется количеством инородных частиц в объеме кристаллов, но зависит и от абсолютного значения вещества включений. [53]
Ясно, что значение коэффициента а1 отвечает случаю, когда статистическое большинство кристаллов выборки имеет ку-бооктаэдрическую форму. Экстремальные значения коэффициентов 0 и оо определяют соответственно кубическую и октаэдри-ческую форму. [55]
Диэлектрическая проницаемость неоднородной среды, к которой следует отнести и большинство кристаллов синтетического алмаза, определяется количеством инородных частиц в объеме кристаллов, но зависит и от абсолютного значения вещества включений. [56]
Хотя явления электрострикции и наблюдаются у многих диэлектриков, но у большинства кристаллов они слабо выражены. У некоторых кристаллов, например у сегнетовой соли и титаната бария, явление электрострикции протекает весьма интенсивно. [57]
Так, если при температуре обжига, равной 1200, величина большинства кристаллов составляет 0 05 - 0 2 мк, то при 1300 - 1 - 2 мк, при 1400 среди немногочисленных мелких кристаллов изредка наблюдаются кристаллы длиной до 2 - 4 мк. [58]
Страницы: 1 2 3 4