Большинство - кристалл
Cтраница 2
Для большинства кристаллов у-0 1цл, где а - параметр решетки. [16]
Для большинства кристаллов у-0 1 ш, где и - параметр решетки. [17]
Для большинства кристаллов исследования КР - и ИК-спек-тров дают взаимодополняющую информацию о нормальных колебаниях, особенно когда есть центр симметрии и колебания, активные в ИК-спектре, неактивны в спектре КР, и наоборот. [18]
 |
К изучению импульсной переполяризации сегнетоэлектриков. [19] |
В большинстве кристаллов и зарождение, и рост зародышей имеют место при любых полях, причем в слабых полях переполяризации осущест-ляется главным образом за счет зарождения доменов, а в сильных - за счет роста зародышей. В некоторых сегнетоэлектриках эти процессы оказываются практически целиком разделенными. Так, например, в ТГС вплоть до полей определенной напряженности кристалл переполяризуется только за счет новых зародышей, а выше этих полей-за счет роста весьма незначительного числа зародышей. [20]
В большинстве кристаллов наблюдается е с т е с т-венная О. [21]
 |
Изменение силы взаимодействия атомов и величины потенциальной энергии в зависимости от межатомного расстояния в системе из двух атомов. [22] |
В большинстве кристаллов молекулярные связи сравнительно с другими типами связей очень слабы. Эти связи важны в твердом состоянии инертных газов при очень низких температурах, имеют значение в анизотропных кристаллах, например селена, в различных органических соединениях. Источником сил в этом случае служит корреляция движения электронов в соседних атомах. [23]
В большинстве кристаллов источником поляризующего действия являются катионы, а объектом, испытывающим наибольшую деформацию, - анионы. [24]
В большинстве кристаллов, как, например, в этилсуль-фатах, элементарная ячейка содержит более чем одну молекулу, но магнитные комплексы в элементарной ячейке эквивалентны и ориентированы одинаково. В этом случае оси х, у, z также совпадают с главными осями тензора магнитной восприимчивости. [25]
В большинстве донорно-акцепторных кристаллов основным является ионизированное состояние, в то время как между растворенными донорными и акцепторными молекулами не происходит переноса заряда. [26]
Поэтому для большинства кристаллов квантование колебаний можно производить на некотором завершающем этапе, когда уже найден закон дисперсии колебаний и тем самым определены частоты гармонических осцилляторов, на которые раскладывается поле колебаний. [27]
Действительно, большинство кристаллов химических элементов обладает кубической или гексагональной сипгонией. [28]
 |
Дифференциальная функция распределения кристаллов по размерам ( а и гистограмма этой функции ( в / ( r dr характеризует число частиц с размерами от г до. [29] |
Скорость роста большинства кристаллов не зависит от их размеров ( так называемое правило Мак-Бена), а определяется только пересыщением раствора и температурой. [30]
Страницы: 1 2 3 4