Большинство - транзистор
Cтраница 1
 |
Плоскостные транзисторы. [1] |
Большинство транзисторов делается из германия. [2]
Большинство транзисторов изготовляется из кремния и германия; используется также для изготовления транзисторов арсе-нид галлия. [3]
Большинство транзисторов, в том числе и эпитаксиально-планарные ( см. рис. 4.4), несимметричны: а / а. Это неравенство объясняется несколькими причинами. Концентрация доноров в коллекторе мала ( WgK C NaK C NR3), поэтому коллекторный р-л-псреход в отличие от эмиттерного не обладает свойством односторонней инжекции и YK Y3 - Далее, поле в базе для электронов, движущихся от коллектора к эмиттеру, является тормозящим, что уменьшает ХБ. [4]
Большинство транзисторов изготовляется из кремния и германия; используется также для изготовления транзисторов арсе-нид галлия. [5]
Для большинства транзисторов выходная проводимость мала: / i2210 ь - т - 10 - 7 Ом, так что слагаемое ft22Z l, поэтому в формуле (6.50) им можно пренебречь. [6]
 |
Выходное характеристики транзистора МП41 для схемы с ОБ. [7] |
Для большинства транзисторов сопротивление открытого эмиттер-ного перехода га имеет порядок десятков ом, сопротивление закрытого коллекторного перехода гк - порядок сотен килоом. [8]
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862 - 64 и ГОСТ 10862 - 72, которая в своей основе не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов. [9]
Для большинства транзисторов желательно получение высокого прямого усиления, и конструкция транзистора предполагает выполнение этого условия. [10]
В большинстве транзисторов максимум усиления по мощности увеличивается с уменьшением частоты примерно на 6 дб на октаву, пока не достигается предельная на низких частотах величина. Эта характеристика изменения для разных транзисторов может незначительно различаться: например, для транзисторов с выращенным переходом эта величина составляет примерно 4 5 дб на октаву и может достигать 6 дб на октаву ( на высокочастотном краю полосы пропускания) для транзисторов с секционированной базой. [11]
 |
Работа транзистора в режиме А. [12] |
Но у большинства транзисторов динамические характеристики мало отличаются от статических, и часто можно пользоваться одной статической передаточной или входной характеристикой. [13]
При монтаже большинства транзисторов и, особенно, интегральных схем требуется ориентация кристалла перед сваркой и относительно точная установка его в корпусе. Кристалл к корпусу присоединяют пайкой эвтектическими сплавами ( припоями), за счет контактного плавления, а также приклеиванием легкоплавкими стеклами или термостойкими клеями. [14]
Линия ОК у большинства транзисторов идет весьма круто и почти совпадает с осью ординат. [15]
Страницы: 1 2 3 4