Большинство - транзистор
Cтраница 2
Белый спектр шумов большинства транзисторов лежит в диапазоне частот, начиная с 0 5 Мгц, и имеет величину не более 4 дб. [16]
В машинах третьего поколения большинство транзисторов и дискретных деталей заменено интегральными схемами. Каждая такая схема представляет прибор в корпусе, по размерам равный транзистору, содержащий несколько десятков компонентов. [17]
В машинах третьего поколения большинство транзисторов и дискретных деталей заменяется интегральными схемами, Каждая из которых выполнена в виде отдельного прибора. Такой прибор в корпусе по размерам примерно равном транзистору, содержит несколько десятков компонентов, соответствующих дискретным транзисторам, резисторам и конденсаторам. Эти компоненты интегрально, неразборно, соединены между собой и образуют законченный логический функциональный блок, который соответствует сложной транзисторной электронной схеме, но имеет надежность и стоимость ( при массовом производстве), приближающиеся к надежности и стоимости отдельного транзистора. При этом общее количество разъемных компонентов в ЦВМ значительно уменьшается, повышается ее надежность, а стоимость снижается. [18]
 |
Простейшая схема измерения коэффициента усиления по току. В случае транзистора структуры п-р - п полярности источника питания ( Е и миллиамперметров обратные. [19] |
Ввиду того что у большинства транзисторов с корпусом непосредственно соединяется один из электродов, часто приходится вводить электрическую изоляцию корпуса от теплоотводящего элемента. Для того чтобы при этом не слишком ухудшать теплоотвод, в качестве изоляционной прокладки используют тончайший листок слюды. [20]
В машинах третьего поколения большинство транзисторов и дискретных деталей заменяется интегральными микросхемами, каждая из которых выполнена в виде отдельного прибора. Такой прибор в корпусе по размерам примерно равном транзистору, содержит несколько десятков компонентов, соответствующих дискретным транзисторам, резисторам и конденсаторам. Эти компоненты интегрально, неразборно, соединены между собой и образуют законченный логический функциональный блок, который соответствует сложной транзисторной электронной схеме, но имеет надежность и стоимость ( при массовом производстве), приближающиеся к надежности и стоимости отдельного транзистора. При этом общее количество разъемных компонентов в ЭВМ значительно уменьшается, повышается ее надежность, а стоимость снижается. Конструкции современных ЭВМ третьего поколения весьма разнообразны, а комплект устройств, входящих в состав ЭВМ, изменяется в очень широких пределах. [21]
Емкость Ск gap в большинстве транзисторов относительно невелика ( единицы ил-и десятки пикофарад), однако ее сопротивление ( конечное на не слишком низких частотах) шунтирует высокоомное сопротивление коллекторного перехода и поэтому влияние емкости Ск бар может быть весьма существенным. [22]
Дело в том, что большинство транзисторов, примененных в радиостанции, работают в режиме больших сигналов, а это значит, что режимы работы но постоянному току и по высокой частоте взаимосвязаны. При этом подключение щупа измерительного прибора может повлиять на режим работы каскада по высокой частоте и, таким образом, внести ошибку в измерения. Другая опасность заключается в том, что даже при измерении режима транзистора, работающего в режиме малых сигналов, при присоединении щупа возможно самовозбуждение каскада. Такое самовозбуждение может значительно повлиять на режим работы транзистора и, таким образом, исказить результаты измерений. [23]
Аналогичный вывод можно сделать применительно к большинству транзисторов с диффузионной базой. К тому же наличие даже последовательного сопротивления 200 ом не может повлиять на величину времени нарастания импульса тока в лавинном транзисторе с предельной частотой усиления по току в схеме с ОБ больше 200 Мгц и Ск5 пф, как было показано выше. [24]
Поскольку ОСТ 11 336.038 - 77 введен в действие в 1978 г., для большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, использованы иные системы обозначений. [25]
Третье поколение ЭВМ ( с 1962 г.) характеризуется широким применением интегральных схем, заменивших большинство транзисторов и различных деталей. Интегральная схема представляет собой законченный логический функциональный блок, соответствующий достаточно сложной транзисторной схеме. [26]
Так как параметры обычных транзисторов в лавинном режиме работы не регламентируются, то реальные значения их для большинства транзисторов не известны. Это обусловливает необходимость проведения соответствующих исследований, результаты которых приведены в данной статье. [27]
Из выражения ( 14 - 38) ясна роль еще двух параметров - Д0 и о - У большинства МДП транзисторов коэффициент ц имеет максимум при токах, в несколько раз меньших номинального ( см. сноску на с. Значит, если это допускают условия стабильности ( с учетом малой разности U3 - i / 0), следует ставить транзистор Т0 в режим пониженных токов. [28]
В схеме замещения могут быть также учтены сопротивления тела эмиттера и коллектора г 3 и г к, которые в большинстве транзисторов значительно меньше га и гк; в практических расчетах эти параметры обычно не учитываются. [29]
Оказывается, что если используется нагрузка величиной несколько тысяч омов ( скажем, 2 - 3 ком), то величинами / г22э и Н гъ для большинства транзисторов в диапазоне частот, который нас интересует, обычно можно полностью пренебречь. В некоторых практических случаях справедливость предыдущих утверждений должна быть проверена. При пренебрежении hl23 и h22a для большинства приемлемых величин нагрузок эквивалентная схема становится особенно проста. [30]
Страницы: 1 2 3 4