Большинство - транзистор
Cтраница 4
Результаты приведены на фиг. Для этих расчетов faco взято равным 4 Мгц и ТСЕ в обоих членах уравнения (4.23) подсчитывалось для статического р при указанном обратном токе базы по характеристикам транзистора на фиг. Так как эти характеристики и значение face равное 4 Мгц, представляют худший транзистор этого типа, большинство транзисторов имеет лучшие параметры, чем приведенные на фиг. [46]
Равновесная система характеризуется единым уровнем Ферми Еф. На границе эмиттера и базы образуется энергетический барьер высотой дсроэ. Небольшое искривление границ энергетических зон в базе ( разность энергий на границах базы 7бср - 0 1 эВ) обусловлено внутренним электрическим полем в базе, возникающим вследствие неравномерного распределения акцепторов, - их концентрация у границы базы с эмиттерным переходом значительно выше концентрации у границы с коллекторным переходом. Такое распределение примесей характерно для большинства транзисторов. Природа внутреннего поля рассмотрена в § 1.3; это поле ускоряет электроны, движущиеся в базе от эмиттера к коллектору. В активном режиме, являющемся основным для усилительных схем, на эмиттерный переход подается прямое напряжение, а на коллекторный - обратное. [47]
Таким образом, изменение тока в цепи эмиттерного р - п перехода вызовет примерно равное ему изменение тока в цепи коллекторного р - п перехода. Величина этого изменения во многом определяется шириной базы W: чем она уже, тем большее число впрыснутых носителей достигнет коллекторного перехода. Поэтому на практике для большей эффективности у транзистора ( отношение дырочной составляющей тока эмиттера ко всему току эмиттера) толщину центральной области - базы - стараются сделать как можно меньшей. Обычно у0 97 - - 0 99 для большинства транзисторов. [48]
Современные ЭВМ относятся к машинам третьего поколения. Первое поколение ЭВМ - машины, построенные на электронных лампах, с большими габаритами, малым быстродействием, малой емкостью оперативной памяти и низкой надежностью. Второе поколение ЭВМ - транзисторные вычислительные машины, в которых было достигнуто улучшение всех их характеристик. В машинах третьего поколения большинство транзисторов заменено интегральными схемами, каждая из которых выполняется в виде самостоятельного неразборного блока. Благодаря этому резко уменьшилось число разборных элементов, повысилась надежность и одновременно сократилась стоимость. В машинах третьего поколения существенно расширен набор внешних, периферийных устройств, число которых достигает нескольких десятков различных устройств ввода - вывода и используется ВЗУ большой емкости. [49]
При отсутствии возможности проверки параметров электронные приборы проверяют на отсутствие междуэлектродных замыканий и на работоспособность. Отсутствие междуэлектродных замыканий проверяют с помощью омметра, причем для транзисторов и полупроводниковых диодов необходимо соблюдать полярность подсоединения щупов омметра. При изменении полярности подключения на участке коллектор-база сопротивление должно быть не менее 100 кОм, а на участке эмиттер-база - не менее 10 кОм, если транзистор исправен. Напряжение внутренней батареи омметра не должно превышать максимально допустимых напряжений для этих участков; например, у большинства ВЧ транзисторов максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер вэмакс 1 3 В. [50]
ПОЛУПРОВОДНИКА СТАБИЛИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ( semiconductor surface stabilisation; stabilisation de la surface de semi-conducteur; Stabilisierung der Halbleiter-Oberflache) - создание условий, при к-рых исключаются процессы, вызывающие изменение параметров поверхности ПП. При хранении и работе ПП прибора могут происходить изменения его параметров, обусловленные гл. Перемещение и изменение содержания посторонних примесей на поверхности влечет за собой изменение элсктрич. Во избежание этого необходимо очистить поверхность от посторонних примесей и защитить ее от воздействия окружающей среды с целью стабилизации. Не), причем следует иметь в виду, что часть процессов, протекающих при изменении темп-ры и относит, влажности, имеет большую постоянную времени. Время, требуемое для достижения равновесия, велико ( 48 час. Этот эффект в различной степени наблюдается в большинство выпускаемых транзисторов и наз. Сборку приборов производят в камерах-скафандрах, в к-рых создается контролируемая газовая среда с пониженной влажностью. Однако, несмотря на тщательную герметизацию транзисторов, все же наблюдается дрейф их хар-к. Этот дрейф вызван изменениями поверхностного потенциала вблизи коллекторного и эмиттерного переходов. Для уменьшения 48-часового эффекта и улучшения стабильности целесообразно тщательно удалить влагу ( влаги в транзисторе должно быть меньше 1 - 2 - 10 - 3 мг, или точка росы должна быть не меньше 60) из герметичной оболочки прибора нагреванием его в течение иеск. Для защиты поверхности ПП его покрывают лаком МБК-1, эпоксидной смолой. Метод защиты ПП от воздействия окружающей среды, основанный на образовании силиконовых полимеров непосредственно из мономеров на самой поверхности ПП, позволяет улучшить параметры и стабильность ПП приборов. [52]
Страницы: 1 2 3 4