Перезаряд - барьерная емкость
Cтраница 1
 |
Зависимость относительного значения выпрямленного тока от частоты переменного напряжения. [1] |
Перезаряд барьерной емкости, затягивающий в основном фазу спада тока диода, зависит от значения R, поэтому с увеличением R частотный диапазон выпрямленных токов сужается. [2]
Длительность перезаряда барьерной емкости фотодиода при малом сопротивлении нагрузки определяется постоянной времени Сварив, где ГБ - сопротивление базы диода. Значение постоянной времени Сварив для обычных фотодиодов составляет около 1 не. [3]
Длительность перезаряда барьерной емкости фотодиода при малом сопротивлении нагрузки определяется постоянной времени Сбар / б, где гб - сопротивление базы диода. [4]
 |
Графики зависимости Qn-Qe P ( tat для диодов различного технологического типа. [5] |
ВОсст в определенной мере вуалируется процессом перезаряда барьерной емкости диода, который накладывается на процесс рассасывания заряда. Сравнительные результаты измерения тэфф рассмотренными методами для различных диодов приведены в таблице. [6]
 |
Зарядоуправляемая модель транзистора для активной нормальной области. [7] |
В области отсечки предполагаем, что инерционность транзистора определяется перезарядом барьерных емкостей. Тогда схема замещения транзистора для области отсечки легко получается из схем на рис. 6.13 путем добавления этих емкостей. [8]
Частотные свойства биполярного транзистора определяются временем пролета неосновных носителей заряда через базу и временем перезаряда барьерных емкостей переходов. Относительная роль этих факторов зависит от конструкции и режима работы транзистора, а также от сопротивлений во внешних цепях. [9]
Расчет показывает, что индуктивность 5 нгн почти в 3 раза увеличивает длительность процесса перезаряда барьерной емкости диода 0 5 пф. Этот метод обладает высокой наглядностью, однако он требует сложной измерительной аппаратуры и это препятствует его применению в цеховых условиях производства полу-провидннкоьых приборов. Быстродействие применяемых стробосциллографов должно превосходить быстродействие измеряемых диодов. Поэтому границей применимости этого метода в настоящее время следует считать время восстановления порядка 0 5 нсек. При измерении процессов меньшей длительности погрешность измерения резко возрастает. [10]
Инерционность переходных процессов связана в первую очередь с накоплением неосновных носителей заряда в базе и перезарядом барьерных емкостей р-п переходов транзистора. [11]
Это объясняется, во-первых, тем, что при подаче на эмиттерный переход прямого напряжения происходит перезаряд барьерной емкости эмиттерно-го перехода Спэ, вследствие чего ток через эмиттерный переход возникает не сразу, а после того, как на переходе появится прямое напряжение, во-вторых, тем, что инжектированные электроны, постепенно заполняя базу, не сразу достигают коллекторного перехода ( графики /, 2, 3, 4 на рис. И. До тех пор, пока электроны, вошедшие через эмиттерный переход в базу, не достигнут коллекторного перехода ( графики /, 2, 3), градиент концентрации в сечении х р равен нулю и ток коллектора также равен нулю. Когда электроны достигнут коллекторного перехода, градиент концентрации начинает возрастать ( кривая 4) и4 в цепи коллектора возникает ток. [12]
Кроме этих двух фундаментальных физических причин ограничения быстродействия в различных полупроводниковых приборах необходимо учитывать постоянные времени перезаряда барьерных емкостей р-п-переходов ( в биполярных транзисторах, тиристорах, диодах, полевых транзисторах с управляющим переходом), постоянные времени перезаряда распределенных емкостей в МДП-структурах МДП-транзисторов и приборов с зарядовой связью. [13]
Кроме этих двух фундаментальных физических причин ограничения быстродействия в различных полупроводниковых приборах необходимо учитывать постоянные времен перезаряда барьерных емкостей р-п-переходов ( в биполярных транзисторах, тиристорах, диодах, полевых транзисторах с управляющим переходом), постоянные времени перезаряда распределенных емкостей в МДП-структурах МДП транзисторов и приборов с зарядовой связью. [14]
 |
Временные зависимости тока управляющего электрода ( а. основного напряжения на тиристоре ( б и основного тока через тиристор ( в, характеризующие процесс его включения. [15] |
Страницы: 1 2 3