Перезаряд - барьерная емкость
Cтраница 2
Время нарастания для тиристора определяется инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базовых областях и инерционностью перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [16]
Скорость переключения рассматриваемых ключей определяется процессами накопления и рассасывания заряда неосновных носителей в базе транзистора, перезарядом барьерных емкостей транзисторов и нагрузочных емкостей. [17]
Этот ток обусловлен экстракцией неосновных носителей из базовой области насыщенного диода, и в несколько раз превосходит токи перезаряда барьерных емкостей. [18]
Заметим, что ток базы при этом убывает до / бо 0 не скачком, а по мере перезаряда барьерных емкостей эмит-терного и коллекторного переходов, которые в уравнении заряда (3.19) не учитывались. [19]
 |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [20] |
Как видно из рис. 14 - 12, с увеличением частоты чувствительность фотоэлемента надает, что определяется инерционными свойствами фотоэлемента, в основном постоянной времени перезаряда барьерной емкости р-п перехода. [21]
Условиями получения необходимых частотных свойств СВЧ-диодов являются отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через выпрямляющий электрический переход в базу, малое время жизни неосновных носителей в базе и малое значение постоянной времени перезаряда барьерной емкости, т.е. малые барьерная емкость выпрямляющего перехода и сопротивление базы, которое должно быть малым и для уменьшения потерь мощности в диоде. [22]
На повышенных частотах коэффициент передачи тока ( КПТ) с увеличением частоты уменьшается, что связано с инерционностью процессов пролета и рекомбинации неосновных носителей заряда в базе, а также с инерционностью процессов, связанных с перезарядом барьерных емкостей эмиттера и коллектора. [23]
Первое слагаемое тока базы определяет составляющую тока, связанную с изменением заряда Q6, второе слагаемое соответствует току, характеризующему скорость рекомбинации заряда неосновных носителей в базе, третье слагаемое соответствует емкостной составляющей тока, связанной с перезарядом барьерной емкости перехода коллектор - база. [24]
 |
Вольт-амперная характеристики СИД.| Диаграммы переключения СИД. [25] |
Пер складывается из времени включения / вкл и выключения Выкл излучения. Инерционность СИД определяется процессом перезаряда барьерной емкости ( емкости р-гс-перехода) и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей в активной области СИД. Для СИД, работающих в режиме визуальной индикации, быстродействие оказывается второстепенной характеристикой, так как инерционность человеческого глаза составляет около 50 мс, что много больше / Пер СИД. [26]
 |
Вольт-амперная характеристика СИД.| Диаграммы переключения СИД. [27] |
Время переключения пер складывается из времени включения tSKn и выключения 1ЪЫКЛ излучения. Инерционность излучающего диода определяется процессом перезаряда барьерной емкости и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей в активной области диода. [28]
 |
Устройство диода Шоттки. - - - - - - - - / L. [29] |
Таким образом, в базе диода ( п - Si) не происходит накапливания и рассасывания неосновных носителей. Основным фактором, влияющим на длительность переходных процессов, является процесс перезаряда барьерной емкости. Значение С6ар, как уже было сказано выше, весьма мало ( не более 1 пФ); очень малы также и омические сопротивления электродов: металла и - кремния. Вследствие этого время перезаряда емкости Сбар, а следовательно, и длительность переходных процессов также очень малы и составляют десятые доли наносекунды. [30]
Страницы: 1 2 3