Перезаряд - барьерная емкость
Cтраница 3
Инерционность светодиодов характеризуется постоянными времени разгорания и затухания электролюминесценции при импульсном возбуждении светодиодов, которые принято измерять между яркостями излучения 0 1 и 0 9 от максимальной. Как и частотные свойства выпрямительных диодов, инерционность светодиодов может определяться временем перезаряда барьерной емкости р-л-перехода и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда. В связи с малыми временами жизни неосновных носителей, характерных для исходных материалов светодиодов, инерционность их оказывается достаточно малой: постоянные времени затухания электролюминесценции не превышают долей микросекунды. Для систем записи и считывания информации без визуализации постоянные времени могут быть, наоборот, одними из наиболее существенных параметров светодиода. [31]
При подаче во входную цепь транзистора импульса прямого тока let начинается переходный процесс включения, состоящий из трех этапов. На начальной стадии включения, называемой задержкой fD ( on), происходит перезаряд барьерной емкости входного эмиттерного перехода. [32]
Основной вклад в инерционность изменения тока наряду с процессами накопления и рассасывания носителей вносит перезаряд барьерной емкости коллекторного перехода C № - Данная емкость связана в основном с обедненной областью коллекторного перехода и поэтому зависит от напряжения база-коллектор. [33]
В микромощных схемах предъявляются повышенные требования к величинам барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов, а также емкости перехода коллектор - подложка. Это обусловлено тем, что с уменьшением токов включения и выключения транзистора все большую роль играют процессы перезаряда барьерных емкостей переходов и других паразитных емкостей схемы. [34]
В течение стадии нарастания коллекторного тока транзистор находится в активном режиме. Время нарастания определяется инерционностью транзистора, природа которой рассматривалась в § 4.10, - это время пролета электронов через область базы и коллекторного перехода и время перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [35]
Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания неосновных носителей в базовой области диодной структуры. Это объясняется тем, что подвижность неосновных носителей заряда определяет время пролета неосновных носителей через базу, а подвижность основных носителей - объемное сопротивление базы и, следовательно, постоянную времени перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. Наибольшей подвижностью носителей заряда обладает антимо-нид индия. [36]
При электрическом пробое в р-я-переходе импульсного стабилитрона неосновные носители заряда в базе диода не накапливаются. Постоянная времени, характеризующая нарастание тока лавины при мгновенном изменении напряжения на диоде, определяется временем пролета носителей через обедненный слой p - n - перехода и составляет около 10-и с. Поэтому импульсный стабилитрон является быстродействующим элементом, и его время переключения определяется в основном перезарядом барьерной емкости перехода. [37]
Пробой перехода не сопровождается инжекцией неосновных носителей, а значит, их накоплением и рассасыванием. Поэтому для лавинных транзисторов характерно весьма высокое быстродействие. Время переключения из режима малых токов в режим больших токов и обратно ограничивается в основном перезарядом барьерной емкости перехода. [38]
Для усиления малых электрических сигналов, получаемых при регистрации слабых световых потоков, желательно увеличить сопротивление нагрузки, включаемой во внешнюю цепь. Однако увеличение сопротивления Нн ограничено внутренним сопротивлением прибора Лцн, зависящим от сопротивления перехода при обратном включении. При RH з Ивн энергетическая характеристика получается более линейной ( см. рис. 14 - 9) и снижается постоянная времени перезаряда барьерной емкости. [39]
Для усиления малых электрических сигналов, получаемых при регистрации слабых световых потоков, желательно увеличить сопротивление нагрузки, включаемой во внешнюю цепь. Однако увеличение сопротивления Нн ограничено внутренним сопротивлением прибора - йвн, зависящим от сопротивления перехода при обратном включении. При RH з Ивн энергетическая характеристика получается более линейной ( см. рис. 14 - 9) и снижается постоянная времени перезаряда барьерной емкости. [40]
 |
Выбор рабочей точки па вольт-амперной характеристике диода для его инвертирования. [41] |
Следовательно, при работе в области пробоя не происходит накопления неосновных носителей в базе диода. При вплавлении в кремний - типа небольшой алюминиевой навески с последующим созданием меза-структуры диаметром 50 - 70 мкм удается получить барьерную емкость 1 - 3 пф при обратных напряжениях около 3 в, что обеспечивает время переключения инвертированных диодов; связанное с перезарядом барьерной емкости, менее 150 псек. [42]
При резком изменении тока через р-п переход напряжение на нем устанавливается в течение определенного времени. Такой переходный процесс обусловлен инерционностью явлений, протекающих в р-п переходе при переключении. Различают переходные процессы включения, переключения диода из прямого направления в обратное и выключения диода. Инерционность протекающих процессов связана с накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе диода, а также перезарядом барьерной емкости р-п перехода. [43]
 |
Схемы диодных ключей на двух диодах ( а, мостового ( 6 и на шести диодах ( в. [44] |
Диодные ключи применяются для точного и быстрого переключения напряжений и токов. Схемы различных диодных ключей приведены на рис. 11.5. Двух-диодный ключ, приведенный на рис. 11.5 а, при отсутствии управляющего напряжения заперт. При подаче на аноды диодов положительного управляющего напряжения диоды отпираются и ключ замыкается. Время коммутации определяется быстродействием диодов. Для диодных ключей обычно используются диоды Шотки или кремниевые эпитаксиальные диоды с тонкой базой. В этих диодах слабо выражены эффекты накопления носителей и их инерционность в основном определяется перезарядом барьерной емкости. [45]
Страницы: 1 2 3