Переключение - диод
Cтраница 2
После переключения диода на обратное напряжение начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе. Из-за ограничения обратного тока концентрация дырок в базе около р-и-перехода не может мгновенно уменьшиться до равновесного значения. [17]
Время переключения диода из закрытого состония в открытое определяется временем пролета носителями обедненного слоя. Это время не зависит от времени жизни носителей и при достаточно малой толщине обедненного слоя ( 1 - 3 мкм) составляет сотые доли наносекунды. Следует отметить, что время переключения из закрытого состояния в открытое много меньше времени переходного процесса накопления заряда, соизмеримого с временем жизни носителей. [18]
 |
Влияние излучения на кремниевые диоды и выпрямители общего назначения. [19] |
Время переключения диодов в результате облучения всегда уменьшается. Измерения шумов диодов после облучения показали, что независимо от типа диодов уровень шумов сильно изменяется в пределах одного типа от микро - до милливольт. [20]
Длительность переключения диода с прямого направления на обратное ( tz ta) зависит от времени жизни носителей заряда в базе тр, а также от соотношения между прямым / i и обратным / 2 токами. [21]
Время переключения диода изменяется от 50 до 500 мкс и уменьшается с увеличением приложенного импульса напряжения. [22]
При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [23]
Если же переключение диода осуществляется путем выключения прямого тока ( обратный ток равен нулю), исчезновение заряда происходит только вследствие рекомбинации. [24]
Возможные комбинации переключения диодов позволяют установить восемь значений фаз сигнала с шагом 22 5 С. [25]
 |
Зависимость тока че. [26] |
В момент переключения диода напряжение на барьерной емкости не может измениться мгновенно, оно достигает установившегося значения через некоторое время. Ток через диод также зависит от времени, что характерно для емкостного сопротивления. [27]
Поскольку процесс переключения диода из одного состояния в другое характеризуется постепенным приближением к установившемуся режиму, то при измерении ta и ty необходимо условиться, по какому урозню вносимого ослабления определяются эти величины. [28]
Рассмотрим случай переключения диода из прямого направления в обратное, когда сопротивление R мало. Найдем ток в цепи ( рис. 4.39) при переключении напряжения Е с прямого направления на обратное. Если электропроводность р-области больше электропроводимости n - области, ток через переход будет в основном дырочным. Чтобы найти величину этого тока, необходимо определить поведение концентрации дырок справа или слева от запорного слоя. [29]
 |
Характеристики переходных процессов в полупроводниковом диоде, работающем при малых импульсных напряжениях в схеме с генератором напряжения. [30] |
Страницы: 1 2 3 4