Переключение - диод
Cтраница 3
В момент переключения диода напряжение на барьерной емкости не может измениться мгновенно, оно достигает установившегося значения через некоторое время. Ток через диод также зависит от времени, что характерно для емкостного сопротивления. [31]
Кроме условия попеременного переключения диодов ( 5), необходимо выполнить также условие ( 3), обеспечивающее фиксацию диодов на разноименных восходящих участках. [32]
Для того чтобы переключение диодов не носило случайного характера, в точку А схемы ( рис. 3.26) подается управляющий ток 1Я небольшой величины. [33]
 |
Управляемый переключающий диод р-п-р-п типа ( а и его. [34] |
Это позволяет достигать переключения диода относительно небольшими управляющими сигналами. [35]
Рассмотрим переходный процесс переключения диода из прямого направления в обратное. С момента времени t начинается этап рассасывания накопленного заряда дырок в базе. [36]
Чтобы проследить порядок переключения диодов, разделим один период Т работы цепи на шесть равных интервалов времени, как показано на рис. 10.43, а. [37]
При этом время переключения диодов составляет менее 2 не. [39]
Таким образом, при переключении диода в нем протекают переходные процессы ( накопление неосновных носителей при прямом смещении и рассасывание их при обратном смещении), которые и ограничивают его быстродействие. [40]
Основным фактором, определяющим время переключения диода и быстродействие переключателя, является эффект накопления заряда в i-слое. При уменьшении напряжения смещения импеданс p - i - n структуры мгновенно не возрастает, за счет избыточной концентрации носителей заряда в i-области, уменьшение которой происходит как вследствие рекомбинации, так и из-за переноса носителей через переход. Время восстановления при использовании только прямого смещения определяется главным образом процессом рекомбинации носителей заряда в i-области и составляет десятки микросекунд. [41]
Основным фактором, определяющим время переключения диода и быстродействие переключателя, является эффект накопления заряда в г - елое. При уменьшении напряжения смещения импеданс p - i - n структуры мгновенно не возрастает, за счет избыточной концентрации носителей заряда в / - области, уменьшение которой происходит как вследствие рекомбинации, так и из-за переноса носителей через переход. Время восстановления при использовании только прямого смещения опреде-ляется главным образом, процессом рекомбинации носителей заряда в / - области и составляет десятки микросекунд. Для уменьшения его в момент переключения на Р сп 9 - 3 Эквивалентная схема диод подается импульс об - р 1 п диода ратной полярности амплитудой до 100 В. За счет сильного электрического поля в t - области происходит дополнительное вытягивание носителей заряда. [42]
Вторичное напряжение трансформатора наряду с переключением диодов выполняет роль напряжения смещения подобно однополупериодной схеме. [43]
Температурная зависимость проявляется также для постоянной времени переключения диода тд. [44]
Чем определяется величина выброса обратного тока при переключении диода с прямого направления на обратное. [45]
Страницы: 1 2 3 4