Переключение - диод
Cтраница 4
 |
Схема измерения времени восстановления, использующая туннельный диод ( а и вольтампер-ная характеристика туннельного диода ( б. [46] |
Иногда для измерения Qn используют осциллограмму переходного процесса переключения диода. [47]
Нормальный запуск триггера на диоде ТД2 во время переключения диода TR зависит, главным образом, от разброса характеристик диодов ТД, ОД3 и ТД2 по напряжению. [48]
При работе в импульсных схемах наиболее существенным является время переключения диода из одного состояния в другое. Для расчета времени переключения необходимо знать ток, идущий на заряд емкости, и, следовательно, форму вольтамперной характеристики диода. [49]
Заметим еще, что при запуске импульсами напряжения процессы переключения диодов в значительной своей части не являются регенеративными: их длительность обусловлена фронтом и срезом входного сигнала. Поэтому запуск от низкоомного источника импульсов целесообразен лишь в первых, наиболее быстродействующих ячейках, где использование коротких и мощных пусковых импульсов позволяет получить существенный выигрыш в быстродействии. [50]
При работе в импульсных схемах наиболее существенным является время переключения диода из одного состояния в другое. Для расчета времени переключения необходимо знать ток, идущий на заряд емкости, и, следовательно, форму вольтамперной характеристики диода. [51]
Заметим еще, что при запуске импульсами напряжения процессы переключения диодов в значительной своей части не являются регенеративными: их длительность обусловлена фронтом и срезом входного сигнала. Поэтому запуск от низкоомного источника импульсов целесообразен лишь в первых, наиболее быстродействующих ячейках, где использование коротких и мощных пусковых импульсов позволяет получить существенный выигрыш в быстродействии. [52]
На рис. 2.29, в показано изменение тока при переключении диода. При прямом смещении через диод проходит прямой ток / пр, сразу же после переключения ток изменяет направление на обратное. По мере рассасывания инжектированных носителей заряда обратный ток стремится к / s и достигает его в течение времени твоо, называемого временем восстановления обратного сопротивления. [53]
Такой же процесс происходит также при отрицательных импульсах, только переключение диодов осуществляется в обратной последовательности. [54]
 |
Диодный переключа. [55] |
Быстродействие диодного ключа определяется процессами перезарядки паразитных емкостей схемы и переключения диодов. Малые перепады напряжения на элементах схемы и низкоомные нагрузки обеспечивают быструю перезарядку паразитных емкостей. Высокую скорость переключения имеют современные импульсные пленарные диоды с тонкой базой и диоды Шоттки. Примером диодов с тонкой базой является диод КД512А, имеющий время восстановления обратного сопротивления 1 не. В диодах Шоттки отсутствует явление накопления и рассасывания заряда. [56]
Из (2.32) и (2.33) видно, что энергия потерь при переключении диода пропорциональна квадрату частоты, а средняя мощность потерь - кубу частоты синусоидального тока. [57]
Страницы: 1 2 3 4