Cтраница 1
Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Так, полосы или зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [1]
Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Гак, полосы пли зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [2]
Перекрытию волновых функций содействует большая величина диэлектрической постоянной. Если размеры волновых функций валентных электронов недостаточны для образования зоны, то зона может быть образована возбужденными состояниями электронов, орбиты которых в 4 раза больше. Может оказаться, что зона возбужденных состояний примесных электронов окажется энергетически ближе к основным уровням примесных атомов, чем свободная зона кристалла. Тогда электроны будут переходить в возбужденную примесную зону в большем числе, чем в свободную зону кристалла. [3]
Поэтому перекрытие волновых функций для Зх-электронов здесь гораздо слабее, а уровни энергии электронов 3s для Na лежат на 6 эл. [4]
Степень перекрытия волновых функций ядра до и после бета-распада определяется в основном соотношением между спинами и четностями этих ядер. [5]
Первый множитель учитывает перекрытие волновых функций, которое является непременным условием рассеяния. Он равен единице в случае, когда начальное состояние является собственным состоянием оператора импульса. [6]
![]() |
Схема процессов девоз-буждения в YV04 - Tb3. [7] |
Этот угол обеспечивает наилучшее перекрытие волновых функций ионов тербия и ванадия через орбита-ли кислорода. [8]
Это по-разному меняет характер перекрытия волновых функций атомов вдоль разных направлений. [9]
Рассчитанное взаимодействие, обусловленное перекрытием волновых функций, сопоставлялось с результатами измерений, выполненных методом молекулярных пучков. [11]
Если даже не осуществляется такое перекрытие волновых функций, которое ввело бы новую полосу уровней во всей массе кристалла, то взаимное влияние атомов примеси может изменить их энергетические состояния, приблизив их к границам свободной или заполненной зоны. [12]
Если даже не осуществляется такое перекрытие волновых функций, которое ввело бы новую полосу уровней, то взаимное влияние атомов примеси может изменить энергетические состояния электронов, приблизив их к границам свободной или заполненной зоны. [13]
![]() |
Линии равных энергий для квадратной решетки. [14] |
С значение, нена уменьшение перекрытия волновых функций. [15]