Бомбардировка - образец
Cтраница 1
Бомбардировка образцов р - и n - типа электронами с энергией 11 мэВ приводит к увеличению числа рекомбинационных центров, не изменяя их природы. [1]
 |
Представление масс-спектра этанола. [2] |
В масс-спектрометрах для бомбардировки образца обычно используются электроны с энергией 70 эВ, хотя напряжение можно варьировать в широких пределах. В спектрометрах с ионизацией полем [8], чтобы добиться эффекта ионизации, используют электрическое поле напряженностью 107 - 108 В / см. В этом методе молекула получает значительно меньшее количество энергии, и ионизационный процесс называется мягким. Электрон при этом удаляется за счет квантовомехани-ческого туннельного эффекта. В последующих разделах обсуждаются некоторые достоинства различных ионизационных методов. [3]
 |
Зависимость емкости ( а и tg б ( б от напряженности поля при 50 Гц и 20 С для образцов варикондов, не облученных и облученных электронами с энергией 1 14 мэВ при потоке 1013 эл / ( см2 - с. [4] |
Предполагается, что бомбардировка образцов быстрыми электронами пучка или комптоновскими электронами при у-облучеиии вызывает смещение части атомов из их положений в кристаллической решетке и вместе с этим изменение нелинейных характеристик. [5]
 |
Спектры поглощения GaP, GaAs и Ge, полученные с помощью синхротронного. [6] |
Она заключается в бомбардировке образца монохроматическими электро-нами, которые инжектируются с пренебрежимо малыми потерями энергии в соответствующие состояния пустой зоны проводимости. Затем они совершают переход в пустые состояния с меньшей энергией, излучая при этом фотон для сохранения энергии. Спектр испущенных фотонов дает детальную информацию о пустых состояниях зоны проводимости, которая является дополнительной к информации о заполненных состояниях валентной зоны, получаемой из фотоэмиссии. [7]
Первичные спектры возбуждаются бомбардировкой образца потоком быстрых электронов; вторичные спектры возбуждаются при облучении вещества потоком рентгеновских квантов, способных ионизировать его атомы. [8]
Травление плазмой основано на бомбардировке образца ионами плазмы, содержащей обычно кислород или его смесь с инертным газом. В случае смесей БСК / НК и БСК / СКД стирол снижает скорость травления БСК и защищает поверхность от дальнейшего окисления. Применение метода ограничивается трудностью контроля интенсивности травления; кроме того, на этот процесс оказывает влияние наличие технического углерода. [9]
 |
Схема основных узлов простого масс-спектрометра. [10] |
Обычная методика состоит в бомбардировке образца электронами в газообразной фазе и при очень низком давлении. Необходимое количество вещества обычно меньше 1 мг ( 1 - Ю 6 кг), а может даже равняться 10 - 3 мг. [11]
 |
Схема основных узлов простого масс-спектрометра. [12] |
Обычная методика состоит в бомбардировке образца электронами в газообразной фазе и при очень низком давлении. Необходимое количество вещества обычно меньше 1 мг ( 1 - 10 - 6 кг), а может даже равняться 10 - 3 мг. [13]
В основе ионного травления лежит бомбардировка образца ионами газов, например азота или кислорода. Процесс обеспечивает необходимую скорость удаления материала и применим к большинству полупроводниковых материалов. Для обеспечения постоянства скорости травления необходима стабильность источника ионов. Основной недостаток метода состоит в том, что на поверхности образца в результате бомбардировки быстро образуется разрушенный слой. Однако потенциальная универсальность метода в сочетании с удобством и большой скоростью проведения измерений делает его перспективным для более широкого использования. [14]
 |
Высокотемпературная вакуумная камера к рентгеновскому дифрактометру. [15] |
Страницы: 1 2 3