Бомбардировка - образец
Cтраница 2
Нагрев рентгенографируемого образца выше 20003С достигается путем бомбардировки образца фокусированным пучком электронов от электронной пушки. [16]
Рентгеновское возбуждение атомов вещества может возникать в результате бомбардировки образца электронами больших энергий или при его облучении рентгеновскими лучами. Первый процесс называют прямым возбуждением; последний - вторичным или флюоресцентным. В обоих случаях энергия электрона или кванта первичной рентгеновской радиации, бомбардирующих излучающий атом, должна быть больше энергии, необходимой для вырывания электрона из определенной внутренней оболочки атома. Электронная бомбардировка исследуемого вещества приводит к появлению не только характеристич. В ходе первичного возбуждения спектра происходит интенсивное разогревание исследуемого вещества, отсутствующее при вторичном возбуждении. Наконец, первичный метод возбуждения лучей предполагает помещение исследуемого вещества внутрь откачанной до высокого вакуума рентгеновской трубки, в то время как для получения спектров флюоресценции исследуемые образцы могут располагаться на пути пучка первичных рентгеновских лучей вне вакуума и легко сменять ДРУГ друга. Поэтому приборы, использующие спектры флюоресценции ( несмотря на то, что интенсивность вторичного излучения в тысячи раз меньше интенсивности лучей, полученных первичным методом), в последние годы почти полностью вытеснили из практики установки, в к-рых осуществляется возбуждение рентгеновских лучей с помощью потока быстрых электронов. [18]
Электронный спектрометр должен включать: 1) источник излучения для бомбардировки образца; 2) энергетический анализатор; 3) детектор электронов; 4) систему обеспечения глубокого вакуума. Весь прибор необходимо экранировать от магнитного поля Земли. [19]
Приведенная выше картина размена энергии недостаточно полна. При бомбардировке образца часть вторичных электронов вырывается с его поверхности и таким образом непосредственно не участвует в процессах возбуждения. Однако роль этих электронов в общем процессе возбуждения весьма существенна; в условиях хорошего вакуума без их участия ста Пильное наблюдение катодолюмипесцеяции вообще невозможно. При малых энергиях первичных электронов ( ускоряющее напряжение меньше 100 - 120 в) число вторичных электронов, вылетающих с поверхности, меньше числа первичных. Бомбардируемая поверхность образца-диэлек трика беспрепятственно заряжается отрицательно. Накопившийся заряд начинает отталкивать электроны первичного пучка, и появившееся вначале свечение быстро гаснет. При увеличении энергии бомбардирующего пучка ( увеличении ускоряющего напряжения) число вторичных электронов становится равным или большим числа первичных. Эти электроны отсасываются ускоряющим положительным электродом, и теперь поверхность получает тенденцию заряжаться положительно, устойчиво стремясь к потенциалу электрода, ускоряющего первичный пучок. Избыточные вторичные электроны будут при этом возвращаться назад и стабилизо мать заряд поверхности. В условиях автоматически устанавливающегося динамического равновесия между первичными электронами и вырываю щимися вторичными становится возможным стабильное наблюдение като додюминесценции. При этом число фактически бомбардирующих образец электронов пропорционально плотности тока пучка, а их энергия доста точно точно определяется потенциалом ускоряющего электрода. [20]
Применение методов исследования полимеров, основанных на дифракции электронов, в значительной степени ограничено изменениями в структуре полимерных образцов, обусловленными воздействием на них потока электронов. При бомбардировке образца электронами в процессе исследования наблюдается образование радикалов за счет ионизации и возбуждения молекул. Появление радикалов в облученных образцах вызывает образование поперечных связей между близко расположенными макромолекулами, а следовательно, ведет как к изменению параметров элементарной ячейки, так и к увеличению всевозможных искажений кристаллической решетки полимера. [21]
Бомбардировка электронами может приводить к возникновению отрицательных ионов или многозарядных катионов, но гораздо более вероятным. В соответствии с этим в обычной масс-спектрометрии бомбардировка образца вызывает образование набора катионов за счет либо первоначальной ионизации, либо-фрагментации, и эти ионы ускоряются в электрическом поле и отклоняются в магнитном. Принцип работы масс-спектрометра состоит в том, что пучок ионов с изменяющейся массой попадает в постоянное поле с изменяющимся потенциалом V или в изменяющееся поле с постоянным потенциалом, причем ионы разделяются по массам и их присутствие может быть зафиксировано-при прохождении через очень узкую щель в виде узких пучков ионов с различными массами. Это не означает, что ионы с высоким молекулярным весом могут быть разделены с помощью этих приборов. [22]
Бомбардировка электронами может приводить к возникновению отрицательных ионов или многозарядных катионов, но гораздо более вероятным является образование однозарядных положительных ионов. В соответствии с этим в обычной масс-спектрометрии бомбардировка образца вызывает образование набора катионов за счет либо первоначальной ионизации, либо фрагментации, и эти ионы ускоряются в электрическом поле и отклоняются в магнитном. Принцип работы масс-спектрометра состоит в том, что пучок ионов с изменяющейся массой попадает в постоянное поле с изменяющимся потенциалом V или в изменяющееся поле с постоянным потенциалом, причем ионы разделяются по массам и их присутствие может быть зафиксирована при прохождении через очень узкую щель в виде узких пучков ионов с различными массами. Это не означает, что ионы с высоким молекулярным весом могут быть разделены с помощью этих приборов. [23]
 |
Часть установки с устройством для перемещения образца, используемая при адсорбционных или каталитических исследованиях монокристаллов.| Простое устройство для перемещения образца. [24] |
Нить накала 7 используют при электронной или ионной бомбардировках образца или при испарении металла, если на образец напыляется пленка, например при получении эпи-таксиальных металлических пленок. [25]
Пики в спектре двуокиси углерода, соответствующие массам 44, 45 и 46, отвечают ионам с составом 12С16О2, ( 12С18О17О 13С16О2) и ( 12С16О18О 13С16О17О 12С17О2) соответственно. Пики, соответствующие массам 28, 29 и 30, обладающие значительной интенсивностью, образуются за счет ионов СО при бомбардировке образца электронами с энергией 50 эв. Теоретически эти ионы также могут быть использованы для измерения изотопных отношений, однако на практике такие измерения осложняются наличием в большинстве масс-спектров фонового пика с массой 28, соответствующего присутствию СО. [26]
Испарение твердых веществ при помощи импульсного лазера, атомизация в дуге и искре - методы, позволяющие обойти процедуру предварительного растворения проб. Возможность прямого анализа твердых проб может быть реализована также путем использования в качестве атомизатора в ААА охлаждаемого полого катода ( ОПК), где образование атомного пара происходит за счет катодного распыления в результате бомбардировки образца положительными ионами. Поскольку основным продуктом катодного распыления являются атомы, то создание атомного пара в ОПК за счет катодного распыления позволит, по-видимому, получить атомный пар, свободный от примесей молекул пробы, и тем самым приблизиться к 100 % - ной атомизации. Газовая температура плазмы в ОПК намного ниже, чем в самом низкотемпературном пламени, и составляет 300 - 400 К. Поэтому абсорбционные линии в ОПК должны быть более узкими, чем в атомизаторах с термическим испарением проб и в пламенах. Это означает, что при одном и том же количестве атомов в абсорбционных объемах сравниваемых атомизаторов атомизатор с ОПК позволит увеличить чувствительность и снизить предел обнаружения ААА. [28]
Другой механизм наведения одноосной анизотропии имеет место при магнитном отжиге. Обнаружено, что если некоторые ферромагнитные материалы подвергнуть высокотемпературному отжигу в присутствии маг-иитного поля, то при последующем охлаждении их до низкой ( обычно комнатной) температуры в них возникает одноосная анизотропия с ЛО, направленной вдоль приложенного поля. Аналогичный результат имеет место при бомбардировке образца ядерными частицами высокой энергии в присутствии внешнего поля. Объяснение этого явления при магнитном отжиге основывается на предположении близкодействующего направленного упорядочения, вызванного перемещениями атомов в процессе отжига, иначе говоря, благодаря магнитному взаимодействию возникает преобладающая ориентация индивидуальных атомов или атомоподобных пар. Это направленное упорядочение замерзает при охлаждении образцов, создавая таким образом одноосную анизотропию. [29]
 |
Активность изотопов аргона в метеорите Гамлет. [30] |
Страницы: 1 2 3