Cтраница 3
Стабильный пентаборан и декаборан не реагируют с хлористым бором. [31]
Стабильный пентаборан и декаборан не реагируют с хлористым бором. [32]
При перегонке хлордиборан В2Н5С1 разлагается на диборан и хлористый бор. Обогащенные бороводородами фракции перегоняются вторично. Вместо хлористого бора с хорошими результатами может быть использован бромистый бор. В зависимости от соотношения реагентов и продолжительности пребывания смеси в зоне разряда образуются различные количества других бороводородов. [33]
При перегонке хлордиборан В2Н3С1 разлагается на диборан и хлористый бор. Обогащенные бороводородами фракции перегоняются вторично. Вместо хлористого бора с хорошими результатами может быть использован бромистый бор. Выход диборана на прореагировавший хлористый бор может доходить до 60 - 75 %, а выход на бромистый бор - до 80 о. В зависимости от соотношения реагентов и продолжительности пребывания смеси в зоне разряда образуются различные количества других бороводородов. [34]
![]() |
Схема ректификационной установки. [35] |
Несмотря на не вполне удовлетворительную работу колонны, исходный хлористый бор был обогащен изотопом В10 в 5 5 раза, что соответствует содержанию В10 в кубовой жидкости 56 6 / о мол. [36]
Кремниевый кристалл с - проводимостью прокаливается в парах хлористого бора так, чтобы по всей поверхности образовался тонкий слой кремния с р-прово-димостью, на поверхность наносится полупрозрачный слой золота. Затем к n - слою и р-слою присоединяются невыпрямляющие контакты. Иногда контакт от освещаемой поверхности осуществляют с помощью контактных полос или сетки. Однако при этом уменьшается полезная поверхность фотоэлемента. Кристалл помещают в корпус. Рабочая поверхность покрывается защитным ( прозрачным) лаком или стеклом. Возможен вариант фотоэлемента с кристаллом, имеющим дырочную проводимость. В этом случае методом диффузии создается поверхностный слой с проводимостью п-типа. [37]
Необходимым условием для определения этилбордихлорида, пропилбордихлорида, хлористого бора и диборана является тщательная осушка наполнителей колонок и всей системы, а также осушка и очистка от кислорода газа-носителя. [38]
Кремниевый кристалл с n - проводимостью прокаливается в парах хлористого бора так, чтобы по всей поверхности образовался тонкий слой кремния с р-прово-димостью, на поверхность наносится полупрозрачный слой золота. Затем к n - слою и р-слою присоединяются невыпрямляющие контакты. Иногда контакт от освещаемой поверхности осуществляют с помощью контактных полос или сетки. Однако при этом уменьшается полезная поверхность фотоэлемента. Рабочая поверхность покрывается защитным ( прозрачным) лаком или стеклом. Возможен вариант фотоэлемента с кристаллом, имеющим дырочную проводимость. В этом случае методом диффузии создается поверхностный слой с проводимостью п-типа. [39]
В настоящей работе описывается методика хроматографического анализа смесей, содержащих хлористый бор. [40]
Те же соображения имеют силу для таких кислот, как хлористый бор, хлористый алюминий или хлорное олово. Атомы бора и алюминия стремятся приобрести пару электронов для заполнения своих s - и р-орбит. [41]
Эфиры борной кислоты легко образуются при нагревании борного ангидрида, хлористого бора или даже борной кислоты ( и HaS04) со спиртом. Они легко гидролизуются в присутствии воды. [42]
Один из наиболее эффективных методов получения диборана основан на восстановлении хлористого бора водородом в условиях электроразряда или катализирующего воздействия металлов при повышенных температурах. [43]
Эфиры борной кислоты легко образуются при нагревании борного ангидрида, хлористого бора или даже борной кислоты ( и H2S04) со спиртом. Они легко гидролизуются в присутствии воды. [44]
Способы получения борных эфирюв взаимодействием спиртов с бор-ноуксусным ангидридом [2, 3] хлористым бором [4], борилсульфатом [5], этерификацией в присутствии соляной кислоты [6], а также из борной кислоты и абсолютного спирта [7] являются менее удобными. [45]