Cтраница 1
Пересыщение может быть нарушено не только введением твердых зародышей растворенного вещества, но и введением твердых зародышей веществ, изоморфных с данным веществом. При этом требуется истинный изоморфизм; простое сходство формы недостаточно. [1]
![]() |
Точечные дефекты в кристаллической решетке. [2] |
Пересыщение точечными дефектами достигается при резком охлаждении после высокотемпературного нагрева, при пластическом деформировании и при облучении нейтронами. В последнем случае концентрация вакансий и межузельных атомов одинакова: выбитые из узлов решетки атомы становятся межузельными атомами, а освободившиеся узлы становятся вакансиями. [3]
Пересыщение, необходимое для кристаллизации эпитаксиальных слоев, создают в результате принудительного охлаждения раствора-расплава. При этом подложку приводят в контакт с раствором-расплавом при температуре ликвидуса. [4]
Пересыщение нарушается при внесении зародышей кристаллизации, трении стеклянной палочкой о стенки сосуда и попадании в раствор частиц пыли. [5]
Пересыщение может быть также вызвано охлаждением раствора. В гейзерах вода бывает часто насыщена кермнеземом при повышенной температуре и давлении. Разновидность кремнезема, образованного в осадке, будет вероятно зависеть от скорости понижения температуры и наличия поверхности кремнезема, на которую он может быть осажден. В особо редких случаях в минеральных отложениях образуется наиболее красивая разновидность кремнезема - огненный опал. [6]
Пересыщение достигается либо охлаждением системы, либо в результате химического процесса. [7]
![]() |
Кристаллизация Ra в си - [ IMAGE ] Распределение Ra в стене ВаС12 - RaCl2 - H20 при дли - системе Ba ( N03 2 - Ra ( N03 2 - тельном перемешивании. Н20 из пересыщенного раст. [8] |
Пересыщение было устранено через несколько дней. Постоянство значения D в этом случае также указывает на применимость закона Хлопина. Наличие однородного распределения радия в кристаллах доказано еще следующим образом. [9]
![]() |
Изменение показателей процесса конденсации серной кислоты в О трубе. [10] |
Пересыщение, как правило, тем больше, чем интенсивнее охлаждается газ и чем выше температура газа. В котлах это явление маловероятно, поскольку по газовому тракту происходит постепенное снижение температуры газов. [11]
Пересыщение было устранено через несколько дней. Постоянство значения D в этом случае также указывает на применимость закона Хлопина. Наличие однородного распределения радия в кристаллах доказано еще следующим образом. [12]
Пересыщение в расплаве возрастает до определенного предела, в - результате чего расплав и растворенное вещество образуют неустойчивую термодинамическую систему. [13]
Пересыщение достигается либо охлаждением системы, либо в результате химического процесса. [14]
Пересыщение в растворе может быть достигнуто в результате химич. Диспергирование обычно ведет к образованию гру-бодиснерсных систем и может привести к получению высокой дисперсности только в достаточно лиофиль-ных К. [15]