Пересыщение

Cтраница 3

Схематическое изображение зависимости G ( o c от ориентации зародышей, характеризуемой углами г 1 и х ( 41 const. [31]

Пересыщение должно быть достаточно малым для того, чтобы вся система могла перейти в положение с минимальной свободной энтальпией. Так как пересыщение определяется по существу плотностью частиц Na в адсорбированном слое и температурой подложки Т, то это означает, что при заданном Na ( определяемом через ND, AGa, Т) температура подложки Т должна быть достаточно велика, а при заданном Т Na должно быть достаточно мало. [32]

Пересыщение снимается в кристалло-растителе при контакте раствора с массой взвешенных в потоке кристаллов, при этом кристаллизуемое вещество отлагается главным образом на гранях кристаллов в слое, в результате чего размеры их увеличиваются. Укрупненные кристаллы непрерывно или периодически выводят из нижней части кристаллорастителя. В аппаратах с регулируемой кристаллизацией можно получить кристаллы со средним размером 1 мм и выше, однако это требует значительного увеличения габаритов аппаратуры и объема установки по сравнению с обычными вакуум-кристаллизаторами. [33]

Пересыщение обусловлено аморфностью СаСО3 и невозможно при переходе СаСО3 в кристаллическую форму. Если выделение шлама из очищенного рассола производится путем отстаивания ( а не путем фильтрации), то к моменту осветления рассола пересыщение его ионами кальция в основном ликвидируется. [34]

Пересыщение увеличивается до тех пор, пока пузырьки пара не покинут поверхности раствора. Если конструкция выпарного аппарата такова, что по его контуру циркулирует смесь раствора и кристаллов, часть кристаллов, находящаяся в контакте с пересыщенным раствором, способствует снятию пересыщения. Если выпарной аппарат представляет собой конструкцию, в которой кристаллы находятся в отдельной зоне и поддерживаются в псевдоожиженном состоянии, то для снятия пересыщения образующийся раствор следует ввести во взвешенный слой кристаллов. [35]

Взаимосвязь карбонатной жесткости и СО2. [36]

Пересыщение по сульфату кальция имеют высокоминерализованные и морские воды, а также вода после искусственного концентрирования. Оно определяется расчетом из соотношения произведения растворимости сульфата кальция ( ПРсазо4) при данной температуре и произведения активности ( ПА) ионов кальция и сульфат-ионов. [37]

Пересыщение, при котором начинается образование двумерных зародышей, называется критическим. [38]

Влияние пересыщения раствора II ( в г / 100 см3 раствора на форму кристаллов алюмокалиевых квасцов. [39]

Пересыщение оказывает влияние и на форму образующихся кристаллов. [40]

Пересыщение наблюдается также при осаждении сульфида цинка. Это особенно заметно при осаждении сульфида ртути в присутствии ионов цинка, которые не образуют осадка ZnS в отсутствие сульфида ртути. На поверхности осадка HgS адсорбируются сульфид-ионы и ионы цинка, так что в адсорбированном слое произведение концентраций Czn2 cs2 - значительно-больше, чем в растворе, и в соответствии с этим зародыши кристаллов легче образуются на поверхности осадка. В конечном итоге на поверхности сульфида ртути выделяется сульфид, цинка. Его нельзя затем полностью вымыть соляной кислотой, что может привести к образованию твердого раствора сульфидов цинка и ртути. [41]

Пересыщение или переохлаждение являются движущей силой процесса кристаллизации. Переохлажденными расплавами называют расплавы, имеющие температуру ниже температуры плавления. Отсюда следуют и представления о степени пересыщения или переохлаждения. [42]

Пересыщение в растворах сульфата натрия может создаваться охлаждением, высаливанием, либо за счет испарения растворителя. [43]

Пересыщение по отношению к Na2SO4 7Н2О создается упариванием и охлаждением. [44]

Пересыщение и, соответственно, скорость роста стабильны на протяжении всего цикла, а концентрация примеси в растворе, окружающем кристалл, периодически изменяется. Это может быть при неравномерном поступлении примеси из растворяющегося шихтового кварца. [45]

Страницы: 1 2 3 4