Переход - носитель - заряд
Cтраница 2
При приложении прост, разности потенциалов к цепи, состоящей из двух ПП ( проводников), имеющих разную зонную структуру, в местах контактов выделяется или поглощается ( в зависимости от направления тока) пек-рое количество тепла, как следствие перехода носителей заряда из одного ПП ( проводника) в другой, при этом они теряют часть энергии, преодолевая энергетич. [16]
При приложении прост, разности потенциалов к цепи, состоящей из двух ПП ( проводников), имеющих разную зонную структуру, в местах контактов выделяется или поглощается ( в зависимости от направления тока) нек-рое количество тепла, как следствие перехода носителей заряда из одного ПП ( проводника) в другой, при этом они теряют часть энергии, преодолевая эпергстич. [17]
 |
Контакт ПП одного типа проводимости. [18] |
При контакте двух ПП с проводимостью одного типа, по с различными работами выхода между ними возникает потенциальный барьер. При переходе носителей заряда из одного ПП в другой и одном из них образуется запирающий слой. В электронном ПП запирающий слой возникает в материале с меньшей работой выхода, в дырочном - наоборот. Внешнее напряженно, приложенное к такому контакту, почти все падает на запирающем слое. Контакты различных ПП как выпрямители работают плохо. [19]
 |
Контакт ПП одного типа проводимости. [20] |
При контакте двух ПП с проводимостью одного типа, но с различными работами выхода между ними возникает потенциальный барьер. При переходе носителей заряда из одного ПП в другой в одном из них образуется запирающий слой. В электронном ПП запирающий слой возникает в материале с меньшей работой выхода, в дырочном - наоборот. Внешнее напряжение, приложенное к такому контакту, почти все падает на запирающем слое. Контакты различных ПП как выпрямители работают плохо. Прямые токи у них малы из-за трудности преодоления носителями заряда барьера, образующегося благодаря различию в ширине запрещенной зоны ( рие. [21]
Изменение состояния электрона или дырки ( при рекомбинации или при переходе па локальный уровень) сопровождается выделением энергии и изменением квазиимпульса, причем обе величины подчиняются закону сохранения. Если при переходе носителя заряда на более низкий уровень энергия выделяется в виде фотона, то такой переход наз. [22]
Изменение состояния электрона или дырки ( при рекомбинации или при переходе на локальный уровень) сопровождается выделением энергии и изменением квазиимпульса, причем обе величины подчиняются закону сохранения. Если при переходе носителя заряда на более низкий уровень энергия выделяется в виде фотона, то такой переход наз. [23]
Если скорость изменения избыточной концентрации неравновесных носителей заряда пропорциональна их концентрации, то рекомбинация носит название линейной. При линейной рекомбинации переход носителей заряда из свободного состояния в связанное происходит независимо от наличия избыточных носителей заряда другого знака. Это означает, что не происходит прямого соединения электрона и дырки. [24]
Очевидно, что - полупроводник чаще будет выполнять функцию восстановителя, обладающего склонностью к образованию прочных хемосорбционных связей с молекулами адсорбата-акцептора, в то время как р-полупроводник будет в большинстве случаев играть роль окислителя, образующего прочные связи с донорными молекулами. В обоих случаях в процессе адсорбции и перехода носителей заряда из приповерхностного ( экранирующего) слоя на поверхность кристалла происходит сближение примесных поверхностных уровней с уровнем Ферми, вследствие искривления зон, что может положить конец адсорбции, сопровождающейся образованием прочных связей. Поскольку адсорбирующиеся вещества влияют на положение уровня Ферми, то тем самым они влияют и на адсорбцию других веществ. [25]
Аналогично ведут себя дырки, инжектируемые в / г-область. На энергетической диаграмме ( рис. 1.1) рекомбинация электрона и дырки соответствует переходу носителя заряда из одного энергетического состояния ( уровень Ес) в другое, характеризующееся некоторым энергетическим уровнем Ev. Выделяемая при этом энергия излучается в виде света или же передается кристаллической решетке. В полупроводниковых материалах с большой шириной запрещенной зоны ( GaAs, GaP, SiC) вероятность излучательной рекомбинации достаточно высока, что и определяет возможность изготовления на их основе источников света. В отличие от указанных материалов, в германии и кремнии процесс рекомбинации носителей с излучением света в обычных условиях мало вероятен. [26]
Сущность этого явления состоит в том, что при поглощении света происходят те или иные переходы носителей заряда, в результате которых в разрешенных зонах - зоне проводимости или в валентной зоне - может возрастать концентрация свободных носителей. Прирост концентрации свободных носителей и вызывает увеличение удельной электрической проводимости полупроводника. [27]
При повышении обратного напряжения обратный ток диода не остается постоянным, равным току экстракции / 0, как следует из соотношения (2.57), а медленно увеличивается. С повышением обратного напряжения вследствие расширения перехода увеличивается его объем, поэтому число генерируемых в переходе носителей заряда и термоток перехода возрастают. [28]
Одним из основных параметров светодиодов является дл и н а волны излучаемого света Я, определяющая цвет свечения. Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий уровней, между которыми происходит излучательный переход электронов, а в случае рекомбинации в результате перехода носителей заряда из зоны проводимости в валентную зону она определяется шириной запрещенной зоны полупроводника. [29]
Страницы: 1 2 3