Переход - носитель - заряд - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Переход - носитель - заряд

Cтраница 3


Эти области называются порогами подвижности, и при 7 0 в интервале энергий, заключенных между Ес и EVJ л ( Е) принимает очень низкие ( но не нулевые) значения. Указанный интервал энергий может быть назван щелью для подвижности, а величина ЕА, входящая в уравнение (6.1), представляет собой энергию, кото - Фая обеспечивает переход носителей заряда через область низких значений подвижности.  [31]

Так как можно нарушить равновесное состояние и для электронов и для дырок, то уравнения (64.16) и (65.15) имеют место одновременно для электронов и дырок, при этом времена жизни т и tf могут не совпадать. Если скорость изменения избыточной концентрации неравновесных носителей заряда пропорциональна их концентрации, то рекомбинация носит название линейной. При линейной рекомбинации переход носителей заряда из свободного состояния в связанное происходит независимо от наличия избыточных носителей заряда другого знака. Это означает, что не происходит прямого соединения электрона и дырки.  [32]

При межзонной рекомбинации происходит переход электрона из зоны проводимости непосредственно на свободный уровень валентной зоны. В соответствии с этим различают и з л у ч а-тельную и фононную межзонную рекомбинацию. Вероятность межзонной рекомбинации очень мала, более вероятны переходы носителей заряда через локальные уровни, расположенные в запрещенной зоне.  [33]

Результаты экспериментов показывают, что возникающая поляризация типа электретной связана не с прессованием, а с разрывом контакта металл - диэлектрик. В процессе контакта полипропилена и алюминия возникает контактная разность потенциалов и происходит переход носителей зарядов в месте контакта. Переход облегчается снижением величины потенциального барьера при нагреве под давлением. В момент отрыва фольги от поверхности возрастает разность потенциалов вследствие увеличения расстояния между электродами конденсатора поверхность полимера - алюминиевая фольга и частичный разряд между этими поверхностями через воздушный промежуток. После отрыва фольги на поверхности полимера остается заряд, плотность которого не должна превышать максимально возможную плотность, обусловленную атмосферным давлением и ионизацией воздуха, а именно 10 - 8 - г - 10 - 9 Кл / см2, что и наблюдается ( см. гл.  [34]

Из рассмотрения уравнений ( 3), ( 25) - ( 27) следует, что для уменьшения коэффициента шума в области фликкер-шума следует снижать рабочий ток. Количество носителей, подвергающихся захвату этими состояниями, уменьшается с ростом высоты потенциального барьера и с уменьшением общего количества проходящих через переход носителей заряда. Поэтому при снижении смещения на эмиттерном переходе уменьшается число захватываемых и освобождаемых медленными поверхностными состояниями носителей и, следовательно, снижаются связанные с этим процессом шумы.  [35]

36 Спектр поглощения полупроводника. [36]

В области примесного поглощения при ХАГр может наблюдаться несколько полос поглощения. Основная полоса вызвана примесным возбуждением носителей заряда. Граничная длина волны, соответствующая примесному поглощению: ) Jrp hc / Eup. Дополнительные области соответствуют переходам носителей заряда с уровней и на уровни, образованные различными примесями и дефектами решетки. Фотопроводимость наблюдается на всех полосах частот примесного поглощения.  [37]

В соединениях III-V такое смещение максимума, по-видимому, мало; например, в антимониде индия макс. Тем не менее линейные члены в выражении для энергии представляют интерес, так как они связаны с теми свойствами соединений III-V, которые отсутствуют у полупроводников IV группы. На эксперименте заметить смещение максимума ( валентной зоны) относительно точки k О трудно вследствие малости соответствующих энергий; однако в достаточно чистом образце при температурах ниже примерно 1 К концентрация тяжелых дырок должна возрастать по сравнению с концентрацией легких дырок, и это можно было бы установить с помощью электрических измерений. Между зоной тяжелых дырок, зоной легких дырок и зоной, отделившейся благодаря спин-орбитальному расщеплению, возможны переходы носителей заряда. Эти переходы должны приводить к появлению пиков в спектре поглощения.  [38]

Селективность поглощения смачивающих жидкостей, экспериментально установленная на кристаллических фторсополимерах, и связь эффекта поглощения жидкостей с их диэлектрическими свойствами позволяет предположить электрическую природу взаимодействия деформируемого полимерного тела с окружающей жидкой средой и, следовательно, электрическую природу расклинивающего действия среды. Для проверки справедливости такого предположения было предпринято теоретическое и экспериментальное [70, 80] исследование взаимодействия жидкости с деформируемым полимером с использованием электрических моделей структурных дефектов пленок. Отличие разработанных нами электрических моделей - ячеек от использовавшихся ранее в физике жидких диэлектриков [81-83] состоит в том, что их конструкция полностью исключает контакт исследуемой жидкости с металлическими электродами, а следовательно, и переход носителей зарядов из металла в жидкий диэлектрик. Это обстоятельство имеет принципиальное значение, на рассмотрении которого остановимся ниже при обсуждении результатов эксперимента.  [39]

Энергетической характеристикой электролюминесценции является эффективность преобразования электрической энергии в энергию излучения. Эффективность преобразования зависит от квантового выхода. Различают два понятия квантового выхода. Внутренний квантовый выход определяется отношением числа фотонов, полученных в единицу времени в активной области р-и-перехода, к числу инжектированных носителей заряда. Поскольку часть излучения поглощается в материале, на практике используется внешний квантовый выход т ], который характеризуется отношением числа фотонов, выходящих из кристалла в единицу времени, к числу инжектированных через р - n - переход носителей заряда. Спектральный состав излучения определяется шириной запрещенной зоны полупроводника и расположением примесных уровней.  [40]



Страницы:      1    2    3