Переход - валентный электрон
Cтраница 1
 |
Энергетические уровни электронов в металле ( а, диэлектрике ( 6 и полупроводнике ( в. [1] |
Переход валентных электронов из валентной зоны в зону проводимости приводит к появлению в узлах кристаллической решетки положительных ионов. Это создает свободные энергетические уровни в ва-летной зоне, на которые могут переходить валентные электроны соседних атомов. Такое свободное место в валентной зоне называют дыркой. [2]
Переходы валентных электронов осуществляются с участием вакантных электронных орбиталей. Взаимодействие вещества с излучением оптического диапазона, как правило, не сопровождается ионизацией атомов. Поэтому для оптического диапазона характерны только методы спектроскопии электромагнитного излучения. К ним относятся методы атомно-эмиссионной ( АЭС), атомно-флуоресцентной ( АФС), атомно-абсорбцион-ной ( ААС) спектроскопии. [3]
 |
Модель потенциальных кривых. [4] |
Переход валентного электрона в возбужденное состояние, как правило, вызывает изменение сил взаимодействия между атомами, образующими осциллятор. Поэтому положения равновесия потенциальных кривых основного и возбужденного состояний не совпадают. Кроме того, изменяется и величина силовой константы. Обычно ветви параболы, отвечающей возбужденному состоянию, оказываются более пологими. [5]
 |
Снижение концентрации электронов проводимости ( / при уменьшении концентрации вакансий по углероду ( 2 в карбиде TiC. [6] |
Переход валентных электронов металлического атома в незаполненную 2р - оболочку атома углерода, азота, кислорода, фтора или их аналогов и образование ионов M. [7]
Для перехода валентного электрона в свободный ему необходимо сообщить некоторое количество энергии. [8]
Для перехода валентного электрона в свободные ему необходимо сообщить некоторое количество энергии Д электрон-вольт. Эта энергия может быть тепловой, обусловленной нагревом, энергией излучения или другой. С увеличением температуры возрастает число электронов, переходящих из валентной зоны в зону проводимости; в отличие от проводников проводимость полупроводников возрастает с ростом температуры. [9]
При переходе валентных электронов из одного состояния в другое поглощается ( или излучается) довольно небольшая энергия по сравнению с энергией, необходимой для переходов электронов с внешних оболочек на оболочки, расположенные близко к ядру, или наоборот. Поэтому при переходе валентного электрона излучаются ( нли поглощаются) видимые или ультрафиолетовые лучи, в то время как при переходе электронов с более удаленных орбит на близкие к ядру орбиты излучаются весьма короткие волны - рентгеновские лучи. [10]
Подвижность дырок обусловлена надбарьер-ными переходами валентных электронов от соседних атомов к голому иону, в то время как электроны в зоне проводимости движутся среди нейтральных атомов. Проводимость в критической точке составляет - 0 1 Ом 1 см 1, что соответствует малой степени ионизации атомов. [11]
Указанным квантам энергии соответствуют переходы валентных электронов с одного энергетического уровня на другой многих атомов и молекул. [12]
 |
Уровни потенциальной энергии валентных. [13] |
Широкая запрещенная зона препятствует переходу валентных электронов из валентной зоны в зону проводимости; зона проводимости в диэлектрике не заполнена электронами. [14]
В этом случае не предполагается переход валентного электрона атома металла к частице реагента окислителя ( акцептору электрона) через компактный металл. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5