Переход - валентный электрон
Cтраница 3
Гетерополяр ная ( ионная) молекула - образуется при переходе валентных электронов от одного атома к другому, обладающему большей электроотрицательностью. Связь между ионами в такой молекуле осуществляется за счет кулоновского притяжения. При этом анион и катион имеют замкнутые устойчивые внешние электронные оболочки, сходные с электронными оболочками инертных газов. При колебании ядер такой молекулы ( рис. 40, а) внешние электронные оболочки аниона и катиона практически не деформируются и, следовательно, поляризуемость молекулы не изменяется. В этом случае ( da / dq) qqo 0 и комбинационного рассеяния не возникает. Однако ионная молекула о бладает большим диполь-ным моментом, который изменяется при ее колебаниях. [31]
 |
Энергетические зоны твердого тела.| Энергетические диаграммы различных веществ. [32] |
У диэлектриков ширина запрещенной зоны велика и, следовательно, для перехода валентных электронов в зону проводимости им нужно сообщить значительную энергию. Электропроводность полупроводников неустойчива и сильно зависит от внешних факторов. [33]
Если поглощение световой энергии все же имеет место, оно обусловлено переходом валентного электрона с одной квантовой орбиты на другую. [34]
Для сплавов олова с металлами переходной группы сдвиги можно качественно объяснить переходом валентных электронов олова на незаполненные d - оболочки переходного металла. [35]
 |
Схема отражения. [36] |
В оптический интервал длин волн А, 200 - 1000 нм попадают переходы валентных электронов с верхних заполненных на нижние вакантные орби-тали ( состояния практически для всех твердых веществ за исключением широкозонных диэлектриков - например, SiO2, MgO, BaSO4 и др.) и большинства адсорбированных па их поверхности молекул. Поскольку основные химические ( прежде всего, реакционная способность) и физические ( оптические, электрические и др.) свойства обусловлены именно состоянием внешних валентных электронов, становится ясным, что оптические электронные спектры несут наиболее важную л фундаментальную информацию о веществе. [37]
 |
Относительные энергии о -, я-орбиталей и орСи - тали, содержащей свободную пару электронов, в простой ( а и сложной ( б ненасыщенной молекуле. [38] |
С позиций квантовой механики интенсивность полосы поглощения зависит от перераспределения заряда, вызванного переходом валентного электрона с высшей занятой орбитали на низший незанятый уровень. Распределение заряда возбуждаемого электрона на двух орбиталях различно. Поглощение света приводит к перераспределению электронной плотности между центрами атомов, которому соответствует момент перехода в молекуле. Наиболее интенсивные абсорбционные полосы связаны с электрическим дипольным моментом перехода, вызванным линейным смещением заряда в процессе поглощения. [39]
 |
Относительные энергии о -, я-орбиталей и орСи - тали, содержащей свободную пару электронов, в простой ( а и сложной ( б ненасыщенной молекуле. [40] |
С позиций квантовой механики интенсивность полосы поглощения зависит от перераспределения заряда, вызванного переходом валентного электрона с высшей занятой орбитали на низший незанятый уровень. Распределение заряда возбуждаемого электрона на двух орбиталях различно. Поглощение света приводит к перераспределению электронной плотности между центрами атомов, которому соответствует момент перехода в молекуле. Наиболее интенсивные абсорбционные полосы связаны с электрическим дипольным моментом перехода, вызванным линейным смещением заряда в процессе поглощения. [41]
 |
Электронные переходы в полупроводниках в случае собственной ( а и примесной ( б, в проводимостей. [42] |
Рассмотренный выше тип полупроводника Я1вляется беспримесным ( собственным), а проводимость, обусловленная переходом валентных электронов в зону проводимости, также называется собственной. [43]
В примесном полупроводнике с дырочной электропроводностью основными носителями зарядов являются дырки, образующиеся при переходе валентных электронов из атомов основного вещества в атомы акцепторной примеси, а неосновными носителями зарядов - электроны, переходящие из валентной зоны в зону проводимости в процессе термогенерации. [44]
 |
Соотношение металл-дезактиватор в синтезированных соединениях. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5