Cтраница 2
В данном случае не предполагается переход валентного электрона атома металла к частице реагента восстановителя ( акцептору) через компактный металл. [16]
Зенеровский пробой происходит в результате перехода валентных электронов из валентной зоны в зону проводимости. При этом происходит разрушение кристаллической решетки в области объемного заряда электрическим полем. [17]
Соответственно спектра кристаллов могут быть электронными, обусловленными переходами валентных электронов, и фоной-ними, связанными с, колебат. [18]
![]() |
Схема возникновения рентгеновских Серий. [19] |
Спектры многоэлектронных атомов возникают при переходах валентных электронов. Атомы с более чем одним валентным электроном имеют несколько систем термов различной мультиплетности. [20]
![]() |
Плотность состояний для гексагональной решетки графита.| Плотность состояний для гексагональных решеток магния ( а и кадмия ( б. А, Б, В-группы других зон. [21] |
Рентгеновские спектры испускания позволяют определить энергию перехода валентных электронов на предварительно-освобожденные К - или L - yровни; спектры должны заканчиваться частотой, соответствующей переходу на К - или / / - уровни электронов, находящихся у верхнего края заполненной полосы. [22]
В рассматриваемом случае обменное взаимодействие отвечает переходу валентного электрона из поля атома в поле положительного иона. Поэтому одно из взаимодействующих состояний соответствует отрицательному и положительному ионам, другое - атому и возбужденному атому. [23]
Поглощение света молекулой, связанное с переходом валентных электронов на различные молекулярные орбиты, представляет собой электронный спектр поглощения молекул. [24]
Поглощение твердым веществом фотонов, сопровождающееся переходом валентных электронов в зону проводимости, является, в сущности, обратимым процессом внутримолекулярного окисления - восстановления. [25]
Собственная электропроводность полупроводников вызвана разрывами ковалент-ных связей и переходом валентных электронов в зону проводимости, В таких полупроводниках число валентных электронов, ушедших в зону проводимости, равно числу дырок, образовавшихся в результате ухода валентных электронов. Поэтому ток в полупроводниках с собственной электропроводностью создается направленным движением свободных электронов и направленным перемещением дырок. Следует помнить, что направленное перемещение дырок является следствием перемещения электронов в валентной зоне, но направление дырочного тока совпадает с направлением перемещения дырок и противоположно действительному направлению перемещения свободных электронов в валентной зоне. Концентрация дырок в полупроводнике типа I равна концентрации электронов. [26]
![]() |
Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [27] |
Сильное электрическое поле в узком р-м-переходе создает условие для переходов валентных электронов из р-области непосредственно в зону проводимости и-области ( рис. 2.7) вследствие туннельного эффекта. [28]
![]() |
Взаимодействие мягкого рентгеновского излучения с электронами в молекуле, а-фотоионизация. б-встряхивание. в-стряхивание. [29] |
Электронное встряхивание, представляющее собой фотоионизационный процесс, сопровождающийся переходом валентного электрона с заполненного уровня на вакантный. [30]