Переход - валентный электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизненный опыт - это масса ценных знаний о том, как не надо себя вести в ситуациях, которые никогда больше не повторятся. Законы Мерфи (еще...)

Переход - валентный электрон

Cтраница 2


В данном случае не предполагается переход валентного электрона атома металла к частице реагента восстановителя ( акцептору) через компактный металл.  [16]

Зенеровский пробой происходит в результате перехода валентных электронов из валентной зоны в зону проводимости. При этом происходит разрушение кристаллической решетки в области объемного заряда электрическим полем.  [17]

Соответственно спектра кристаллов могут быть электронными, обусловленными переходами валентных электронов, и фоной-ними, связанными с, колебат.  [18]

19 Схема возникновения рентгеновских Серий. [19]

Спектры многоэлектронных атомов возникают при переходах валентных электронов. Атомы с более чем одним валентным электроном имеют несколько систем термов различной мультиплетности.  [20]

21 Плотность состояний для гексагональной решетки графита.| Плотность состояний для гексагональных решеток магния ( а и кадмия ( б. А, Б, В-группы других зон. [21]

Рентгеновские спектры испускания позволяют определить энергию перехода валентных электронов на предварительно-освобожденные К - или L - yровни; спектры должны заканчиваться частотой, соответствующей переходу на К - или / / - уровни электронов, находящихся у верхнего края заполненной полосы.  [22]

В рассматриваемом случае обменное взаимодействие отвечает переходу валентного электрона из поля атома в поле положительного иона. Поэтому одно из взаимодействующих состояний соответствует отрицательному и положительному ионам, другое - атому и возбужденному атому.  [23]

Поглощение света молекулой, связанное с переходом валентных электронов на различные молекулярные орбиты, представляет собой электронный спектр поглощения молекул.  [24]

Поглощение твердым веществом фотонов, сопровождающееся переходом валентных электронов в зону проводимости, является, в сущности, обратимым процессом внутримолекулярного окисления - восстановления.  [25]

Собственная электропроводность полупроводников вызвана разрывами ковалент-ных связей и переходом валентных электронов в зону проводимости, В таких полупроводниках число валентных электронов, ушедших в зону проводимости, равно числу дырок, образовавшихся в результате ухода валентных электронов. Поэтому ток в полупроводниках с собственной электропроводностью создается направленным движением свободных электронов и направленным перемещением дырок. Следует помнить, что направленное перемещение дырок является следствием перемещения электронов в валентной зоне, но направление дырочного тока совпадает с направлением перемещения дырок и противоположно действительному направлению перемещения свободных электронов в валентной зоне. Концентрация дырок в полупроводнике типа I равна концентрации электронов.  [26]

27 Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [27]

Сильное электрическое поле в узком р-м-переходе создает условие для переходов валентных электронов из р-области непосредственно в зону проводимости и-области ( рис. 2.7) вследствие туннельного эффекта.  [28]

29 Взаимодействие мягкого рентгеновского излучения с электронами в молекуле, а-фотоионизация. б-встряхивание. в-стряхивание. [29]

Электронное встряхивание, представляющее собой фотоионизационный процесс, сопровождающийся переходом валентного электрона с заполненного уровня на вакантный.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5