Управляющий переход

Cтраница 2

Полевой транзистор с управляющим переходом - это полевой транзистор, управление потоком основных носителей в котором происходит с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении. [16]

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл - полупро водник являются основными активными элементами арсенид галлие вых микросхем. [17]

С подачей импульса на управляющий переход тиристор открывается и включает контактор КП, который подает питание на привод выключателя двигателя второй ступени. Если двигатель находится в резерве, включения его после срабатывания АВР не произойдет, так как конденсатор в схеме управления разряжен. [18]

Конденсатор С2 разряжается через управляющий переход тринистора и резистор R4, После открывания тринистора VSI напряжение на аноде тринистора VS2 резко уменьшается и по Мере заряда конденсатора С1 начинает постепенно увеличиваться. [19]

Таким образом, включение управляющего перехода в значительной степени исключает влияние обратного тока, поэтому линейность шкалы управляемого амплитудного преобразователя существенно лучше, чем при использовании неуправляемых схем выпрямления. [20]

Схемные обозначения полевых транзисторов. [21]

Через полевые транзисторы с управляющим переходом при напряжении UGS 0 протекает наибольший ток стока. Такие транзисторы называют нормально открытыми. Аналогичные свойства имеют МОП-транзисторы обедненного типа. Наоборот, МОП-транзисторы обогащенного типа запираются при величинах Uas, близких к нулю. [22]

Роль синхронного ключа здесь выполняет управляющий переход самого тиристора, обладающий определенным порогом / УС1 / у. [23]

Роль синхронного ключа здесь выполняет управляющий переход самого тиристора, обладающий определенным порогом / уо / у. [24]

Упрощенная схема двухтактного регулятора КИУ-11. [25]

Диоды VD7, VD8 защищают управляющие переходы тиристоров VS1 и VS2 от напряжения обратной полярности. [26]

Если затем отключить напряжение от управляющих переходов тиристоров Т и Ту, то находившийся в проводящем состоянии тиристор закроется. [27]

Область тиристора, находящаяся под управляющим переходом / 4, начинает переходить в проводящее состояние. [28]

При разработке полевых транзисторов с управляющим переходом металл-полупроводник и микросхем на их основе используются следующие преимущества арсенида галлия по сравнению с кремнием: более высокие подвижность электронов в слабых электрических полях и скорость насыщения в сильных полях, большая ширина запрещенной зоны и, как следствие, значительно более высокое удельное сопротивление нелегированного арсенида галлия, позволяющее создавать полуизолирующие подложки микросхемы. Ниже приведены основные электрофизические параметры арсенида галлия и кремния при Т - 300 К. [29]

В процессе выключения при биполярном режиме обратносмещенный управляющий переход осуществляет вынос инжектированных дырок, находящихся в области канала. На этапе формирования потенциального барьера в канале дырки попадают в ускоряющее поле, втягивающее их в затвор Электроны, наоборот, оттесняются данным полем к оси канала и к стоковой области. В результате происходит интенсивное рассасывание накопленного заряда, сопровождающееся протеканием относительно большого по амплитуде отрицательного импульса тока затвора. Выключение СИТ в данном режиме качественно аналогично переключению диода из прямого состояния в обратное. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5