Управляющий переход
Cтраница 4
Статический коэффициент усиления по напряжению полевого транзистора с управляющим переходом имеет значения порядка нескольких сотен. [46]
 |
Подсеть умножителя. Эта подсеть слабо вычисляет произведение к и у. [47] |
Теперь для создания конкретных необходимых множеств достижимости вводится несколько управляющих переходов и позиций. [48]
Описанный выше гетеропереход используют в структурах полевых транзисторов с управляющим переходом металл - полупроводник. Примеры конструкций нормально открытого и нормально закрытого ГМЕП-транзисторов показаны на рис. 5.11. При изготовлении нормально открытых транзисторов на легированную хромом полуизолирующую подложку из арсенида галлия ( рис. 5.11, а) методом молеку-лярно-лучевой эпитаксии последовательно наносят: нелегированный слой арсенида галлия р - - типа проводимости, нелегированный разделительный слой арсенида галлия-алюминия, легированный кремнием ( Мд 7 - 1017 см-3) слой арсенида галлия-алюминия. Для формирования затвора 3 используют слой алюминия, для контактов к ис-токовой И и стоковой С областям - сплав AuGe / Ni. В нормально закрытом транзисторе с индуцированным каналом ( рис. 5.11, б) верхний слой арсенида галлия-алюминия частично стравливают до толщины 50 нм. Таким способом на одной подложке изготовляют нормально открытые и нормально закрытые транзисторы. [49]
Более высокие частоты приводят к заметному увеличению потерь на управляющем переходе; более низкие - к заметному запаздыванию включения тиристора по отношению к началу полупериода. [50]
Более высокие частоты приводят к заметному увеличению потерь на управляющем переходе; более низкие - к заметному запаздыванию включения тиристора по отношению к началу полупериода. [51]
Этот импульс с обмоткой W2 выходного трансформатора ВТ поступает на управляющий переход тиристора. [52]
Входной ключ К1 при его реализации на полевом транзисторе с управляющим переходом целесообразно располагать перед входным резистором ( как и показано на рис. 6.23), поскольку при этом импульсный сигнал перезаряда затвор - исток емкости Сзи не воздействует непосредственно на вход усилителя, и, кроме того, обратный ток перехода замыкается через низкое выходное сопротивление источника сигнала. [53]
В арсенид-галлиевых полупроводниковых микросхемах активными элементами служат полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник ( МЕП-транзисторы), кроме того, используют диоды Шотки и полупроводниковые резисторы. [54]
Принцип действия такой же, как и для транзистора с управляющим переходом металл-полупроводник, и заключается в изменении толщины проводящей части канала и, следовательно, тока стока при изменении напряжения на затворе, влияющего на толщину обедненного слоя р-п-перехода затвор-канал. Пороговое напряжение может быть определено по (5.19), в которой сроз - равновесная высота потенциального барьера управляющего р-п-пере-хода. [55]
Отличие кремниевого транзистора с управляющим р-п-переходом от арсенид-галлиевого транзистора с управляющим переходом металл - полупроводник в основном количественное. [56]
Вх АС / зи / А / зи, Так как управляющий переход включен в обратном направлении, это сопротивление относительно велико - как обратное сопротивление полупроводникового диода, что выгодно отличает полевой транзистор от биполярного. [57]
 |
Выходные статические характеристики полевого транзистора. [58] |
В момент, когда обратное напряжение хотя бы в одной точке управляющего перехода достигает величины Ua, теоретически можно было бы ожидать прекращения тока через канал, поскольку обедненный слой должен изолировать сток от истока. О), и в канале сохраняется узкий токопроводящий перешеек, обусловленный не учтенной в теоретической модели составляющей продольного электрического поля и гарантирующий конечное значение плотности тока. [59]
Эти напряжения могут прикладываться только при нулевом или отрицательном напряжении на управляющем переходе. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5