Управляющий переход

Cтраница 3

Устройство и включение однопереходного транзистора ( а, вольт-амперная характеристика эмиттерной цепи ( б, условное ( графическое изображение однопереходного транзистора с и-базой ( в. [31]

Конструктивно он напоминает полевой транзистор с управляющим переходом и каналом - типа ( рис. 5 - 1, а), но имеет совершенно иной принцип работы, основанный на зависимости проводимости полупроводника от инжектируемых в него носителей. [32]

Устройство и включение одиопереходного транзистора ( о, вольт-амперная характеристика эмиттерной цепи ( б, условное ( графическое изображение однопереходного транзистора с - базой ( в. [33]

Конструктивно он напоминает полевой транзистор с управляющим переходом и каналом л-типа ( рис. 5 - 1 а), но имеет совершенно иной принцип работы, основанный на зависимости проводимости полупроводника от инжектируемых в него носителей. [34]

Во-вторых, сопротивление RIU создает на управляющем переходе электрический режим, способствующий устранению ложных отпираний ТТ по цепи анода. [35]

Во время паузы последние открыты, шунтирут управляющие переходы VT1, VT2 и замыкают на шину питания пусковой ток цепочки смещения. В начале интервала передачи энергии в нагрузку транзисторы VT3 и VT4 закрываются от УУ, пусковой ток поступает в базы мощных транзисторов и ПН возбуждается. В качестве УУ может быть использован ШИМ с собственным RC-задающим генератором. В этом случае автогенераторный стабилизирующий преобразователь напряжения ( АСПН) собирают из АНПН простым добавлением к последнему широтно-импульсного модулятора, управляющего маломощными шунтирующими транзисторами ( VT3, VT4) и введением индуктивности в сглаживающий фильтр. Таким образом, АСПН ( рис. 6.2) в переходных режимах ( пуск, скачкообразные изменения или короткое замыкание нагрузки) работает как АНПН с насыщающимся трансформатором со всеми вытекающими отсюда последствиями ( см. § 5.3), а в режиме стабилизации - как усилитель мощности с внешним запиранием, но с самовозбуждением. [36]

Резистор Ri вводится для ограничения тока через управляющий переход тиристора. [37]

ОН двумерного электронного газа перекрыта обедненной областью управляющего перехода. Канал возникает при некотором положительном напряжении, равном пороговому [ см. формулу (5.5) ], когда обедненная область управляющего перехода сужается настолько, что ее нижняя граница попадает в ОН электронов. [38]

Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом. [39]

Аналогично может быть получен полевой транзистор с управляющим переходом и каналом п-типа. [40]

Входная, проходная емкости полевого транзистора с управляющим переходом меняются при изменении электрического режима подобно тому, как меняется емкость обратно смещенного р - - перехода. На рис. 18 приведены зависимости емкостей сдвоенного транзистора типа КПСЮ4 от напряжения на затворе. При этом входная емкость обычно меняется в больших пределах. [41]

Для устранения самовключения тиристора в ждущем режиме его управляющий переход необходимо либо шунтировать низкоомным резистором, либо подавать на него отрицательно смещение, при этом в обоих случаях возрастает мощность, требуемая для включения тиристора. В этой схеме импульс тока управления подается в катод тиристора. [42]

Силовые шестивентильные блоки с тиристорами Т160, а - по схеме сблок - мост. б - по схеме блок - фаза. [43]

В ряде случаев для повышения помехоустойчивости преобразователей на управляющие переходы тиристоров через диод подается ток отрицательного запирающего смещения. В простейших случаях для этого используется отрицательное напряжение на импульсном трансформаторе при его перемагничивании. [44]

Кристалл полевого транзистора с управляющим р-п переходом и каналом р-типа ( КП102 ( а, корпуса транзистора ( б, а, условное графическое изображение и цоколевка ( г. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5