Эмиттерной переход - транзистор
Cтраница 1
 |
И. Условное графическое обозначение и принципиальная электрическая схема каскада перемагничивания ферритовых сердечников. [1] |
Эмиттерные переходы транзисторов Т2 зашунтированы небольшим сопротивлением вторичных обмоток трансформаторов, в результате чего последовательное включение транзисторов можно рассматривать практически как последовательное соединение диодов, к которым подключено обратное напряжение. [2]
Эмиттерные переходы транзистора 7 смещены в обратном направлении. [3]
Обычно эмиттерные переходы транзисторов шунтируются резисторами. Это позволяет улучшить параметры составного транзистора - повысить рабочее напряжение коллектор - эмиттер, уменьшить температурную нестабильность. Одновременно с этим сокращается время выключения транзистора, так как при прямом смещении эмиттерных переходов шунтирование их резисторами обеспечивает отрицательный гок базы, вытекающий из транзистора и способствующий его запиранию. [4]
Полупроводниковые шумы эмиттерного перехода транзистора примерно на два порядка меньше шумов коллекторного перехода и поэтому при инженерных расчетах обычно не учитываются. [5]
Прямое смещение эмиттерного перехода транзистора создает напряжение АРГ, прикладываемое через резистор Rl к базе. При изменении напряжения АРГ меняется усиление каскада, причем для различных по величине сигналов двух станций соответствующие уровни усиления устанавливаются таким образом, чтобы громкость сигналов этих станций была одинаковая ( см. гл. [6]
Диод Д препятствует запиранию эмиттерного перехода транзистора, ограничивая положительные напряжения на базе и способствуя перезаряду емкости за счет прямого прохождения сигнала на выход в переходном процессе формирования положительного фронта. [7]
Входным сопротивлением является сопротивление прямо включенного эмиттерного перехода транзистора. [8]
В рассматриваемой схеме к эмиттерному переходу транзистора приложено прямое напряжение, поэтому при напряжении на коллекторе UK-0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового р - - перехода. При этом увеличение отрицательного напряжения на коллекторе смещает характеристику вправо, что соответствует уменьшению тока базы. Это объясняется тем, что чем больше отрицательное напряжение на коллекторе, тем меньше ширина слоя базы. Уменьшение же ширины приводит к уменьшению рекомбинаций в ней, а следовательно, и к уменьшению тока базы. [9]
Поскольку ток нагрузки протекает через эмиттерные переходы транзисторов преобразователя, максимально допустимый ток базы должен быть больше тока нагрузки ( 1бтах1н), что заставляет применять в блоке только мощные транзисторы. Это обычно не является препятствием при применении подобных преобразователей для питания маломощной аппаратуры. Обмотка Пб трансформатора 77 позволяет уменьшить напряжение на базе закрытого транзистора преобразователя до допустимого значения, равного 3 В. [10]
Наибольшая светочувствительность получается при освещении эмиттерного перехода транзистора. В этом случае ток, образующийся при попадании света на кристалл германия, проходит по базовой цепи и вызывает усиленный ток коллектора. [11]
 |
Дифференциальный усилитель серии К1УТ221. а - схема. б - условное графическое обозначение. [12] |
С увеличением температуры уменьшается сопротивление эмиттерного перехода транзистора, поэтому ток транзистора возрастает, а положение рабочей точки на характеристике оказывается неустойчивым. Поэтому избыточный ток пройдет от источника Есы через диод, а режим работы транзистора стабилизируется. [13]
Для защиты от пробоя обратным напряжением эмиттерные переходы запирающих транзисторов шунтированы диодами. Данная схема допускает броски тока нагрузки, не превышающие / и, однако амплитуда тока коллектора зависит от коэффициента передачи тока / г21Э используемого транзистора. Положительным качеством устройства являются также значительно уменьшенные динамические потери в мощных транзисторах за счет шунтирования переходов конденсаторами С. [14]
 |
Фрагмент входного дифференциального каскада на МДП-транзисторах с индуцированным каналом / - типа. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5