Эмиттерной переход - транзистор
Cтраница 2
Инверсия приповерхностных участков кремния в области эмиттерного перехода транзистора, которая создает микроканал между контактами базы и эмиттера, может возникать из-за блуждающих ионов, например натрия и калия, их упорядоченного скопления на дефектах в приповерхностном слое кремния. Для уменьшения этого влияния используют методы стабилизации поверхности, термический отжиг структур. Исключение активного действия паразитного р-п - р транзистора обеспечивается смещением эмиттерного перехода в закрытое состояние. Для этого потенциал в и-области должен быть всегда больше потенциала любой - области, находящейся в том же кармане. [16]
При поступлении на вход сигнала 1 открываются одновременно эмиттерные переходы транзисторов VT1 и VT2 по цепи: ( ЕК. [17]
 |
Стабилизация отрицательного напряжения.| Стабилизация двух симметричных относительно земли напряжений. [18] |
Остальная часть общего падения напряжения приходится на эмиттерные переходы транзисторов выходного каскада; эта величина также составляет около 1 5 В. [19]
Диод 2Д4 типа Д9Е служит для защиты эмиттерного перехода транзистора 2Т7 от перегрузок, резисторы 2R49, 2R128 цепи базы транзистора 2Т7, а также резистор 2R50 в цепи его коллектора подобраны так, чтобы транзистор 2Т7 работал в режиме двустороннего ограничения входного сигнала. [20]
Потенциометр R6 служит для регулировки прямого смещения эмиттерного перехода транзистора Т2, что позволяет установить требуемый коэффициент усиления каскада. Меняя коэффициент усиления, можно регулировать амплитуду напряжения кадровой развертки. Регулятор линейности на потенциометре R9, включенном в цепь формирования пилообразного напряжения, предназначен для регулировки линейности напряжения кадровой развертки. [21]
При номинальном токе нагрузки / напряжение на эмиттерном переходе транзистора Т9 ( на рис. 9 - 7 между выводами микросхемы 10 и / /), определяемое суммой падений напряжений в контуре резистор R2 ( рис. 9 - 8, а), переход база-эмиттер Т6 ( рис. 9 - 7), резистор R1, близко к нулю и закрытый транзистор Т9 не оказывает никакого влияния на работу стабилизатора. Напряжение на базе составного регулирующего транзистора Т7 ( рис. 9 - 7) при этом уменьшается, и он начинает закрываться, что приводит к уменьшению тока нагрузки. [22]
 |
Транзистор Шоттки ра VT1 U61 1 7В. ( 0 7 В падает на переходах база-эмиттер транзисторов VT3 и VT2. [23] |
При входных сигналах, соответствующих логической единице, эмиттерные переходы транзистора VT1 закрыты. [24]
Инъекция неосковных носи телей лежит в основе действия эмиттерного перехода транзистора. [25]
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя определяется сопротивлением г. л эмиттерного перехода транзистора, а также сопротивлением базы лб и внутренним сопротивлением источника входного сигнала R. Поскольку при изменении тока нагрузки на величину А / входной ток изменяется на величину А / / ( 1 Р), то влияние сопротивления базы и внутреннего сопротивления генератора на изменение выходного напряжения будет в 1 Р раз более слабым по сравнению с влиянием сопротивления гя. [26]
По мере повышения напряжения ывх запирающее напряжение на эмиттерном переходе транзистора Tj уменьшается. При вх t / gi 061 эмиттерный переход Tj получает прямое смещение, в результате чего появляется его эмиттерный ток. [27]
Напряжение 1 / АБ в сумме с напряжениями на эмиттерных переходах транзисторов V23, V24 есть падение напряжения на регулирующем элементе. [28]
 |
Упрошенные формулы для расчета емкости и времени рассасывания. [29] |
За ним следуют - диоды: 4 - на эмиттерном переходе транзистора с короткозамкнутым коллектором; 6 - с параллельно соединенными переходами; 3 - на коллекторном переходе с разомкнутым эмиттером. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5