Эмиттерной переход - транзистор
Cтраница 4
В, ибо при меньших значениях оно будет соизмеримо с величиной падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора. При больших Есы увеличивается напряжение ( / кбобр. Кроме того, следует учитывать, что эмиттерные переходы дрейфовых транзисторов характеризуются предельно допустимыми значениями UaQ0Qpmax порядка нескольких вольт. [46]
При увеличении уровня выходного напряжения выпрямленное диодами напряжение также увеличивается, результирующее прямое смещение на эмиттерном переходе транзистора Т уменьшается, а динамическое сопротивление между его коллектором и эмиттером возрастает. Оно слабее шунтирует резистор R7 в цепи эмиттера транзистора Т2, и глубина отрицательней обратной связи увеличивается. При уменьшении выходного напряжения описанный процесс имеет обратный характер. [47]
 |
Схема базового элемента ТТЛ. [48] |
Если на оба входа схемы рис. 8 - 23 подано напряжение высокого уровня Е, то эмиттерные переходы транзистора Т1 смещаются в обратном направлении. Через транзистор Т2 протекает ток базы транзистора Т4, при этом Т4 в насыщении, напряжение на выходе соответствует низкому логическому уровню. [49]
По принципу построения, а также по важнейшим параметрам они близки к схемам типа ДТЛ, Эмиттерные переходы много-эмиттерного транзистора выполняют функцию, аналогичную функции диодов в схемах ДТЛ, а коллекторный переход играет роль смещающего диода. Многоэмиттерный транзистор-специфичный интегральный полупроводниковый прибор, представляющий собой совокупность т транзисторных структур, имеющих общий коллектор и непосредственно взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей. [50]
 |
Схемы, иллюстрирующие действие интегрального перемножителя. [51] |
При г вх 0 переменные составляющие токов г к), ix2 определяются напряжением и6э на эмиттерных переходах транзисторов VT1, VT2 и являются их экспоненциальной функцией. При сопротивлении резистора R1, значительно превышающем дифференциальное входное сопротивление транзистора VT3, ток z 63 пропорционален входному напряжению мвх. Таким образом достигается, как указывалось, результирующая линейная зависимость переменных составляющих токов коллекторов i i транзисторов VT1 и VT2 от входного напряжения ивх. [52]
Кроме того, температурной стабильности способствуют близкие по величине температурные коэффициенты напряжений на диоде и на эмиттерном переходе транзистора. [54]
Высокая линейность каскада при усилении малых уровней выходного сигнала достигнута подачей начального смещения, выделяющегося на эмиттерных переходах транзисторов VTJ9, VT20, VT2J и резисторе R7, между базами транзисторов усилителя мощности. [55]
Падение напряжения, создаваемое током нагрузки на резисторе R14 и внутреннем сопротивлении амперметра РА1, приложено к эмиттерному переходу транзистора V22, причем полярность этого напряжения такова, что при его увеличении транзистор открывается. Последний, в свою очередь, еще более открывает V22 - процесс протекает лавинообразно. При этом регулирующий элемент ( V23V24) закрывается, и выходное напряжение блока становится близким к нулю. Одновременно включается сигнальная лампа Н2 Перегрузка. [56]
По этой причине в запираемых тиристорах используют технологическую шунтировку только анодного перехода, так как он является эмиттерным переходом транзистора с наименьшими усилительными свойствами. [57]
 |
Схема селектора синхроимпульсов. [58] |
Если схема построена на транзисторе п-р-и-типа, то входной сигнал должен иметь положительную полярность, обусловливающую прямое смещение эмиттерного перехода транзистора. [59]
 |
Классификация логических элементов на биполярных транзисторах. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5