Лазерный переход

Cтраница 2

На рис. 6.5 приведены некоторые наиболее важные лазерные переходы, образующиеся между этими уровнями. Конкретный переход, на котором будет осуществляться генерация, определяется длиной волны, при которой коэффициент отражения многослойного диэлектрического зеркала достигает максимума. Лазерные переходы уширены преимущественно благодаря эффекту Доплера. [16]

Считая, что максимальное сечение лазерного перехода неодима в стекле равно а 3 - 10 - 20 см2, найдите энергию, которую должен иметь входной импульс ( длительностью 1 не), чтобы на выходе усилителя получить энергию 450 Дж. Какова полная энергия, запасенная в усилителе. [17]

В молекулярных газах в общем случае лазерные переходы осуществляются между различными электронно-колебательно-вращательными уровнями молекул. Это позволяет получить генерацию на значительно большем числе линий, чем в случаях нейтральных и ионизованных атомных газов. [18]

Поскольку в СОг-лазере столкиовительное уширеиие этого лазерного перехода составляет около 5 МГц / ( мм рт. ст.), найдите, при каком давлении углекислого газа оба механизма дадут одинаковые вклады в ширину линии. [19]

Дискретная перестройка производится путем селекции излучения различных лазерных переходов активной среды, а также применением специальных устройств-умножителей частоты излучения ОКГ. Дискретная перестройка реализована в ионных ( аргоновых, криптоновых и ксеноновых) и молекулярных ( на азоте, угарном и углекислом газе) газовых ОКГ, излучающих на десятке линий. Наибольший дипазон дискретной перестройки среди твердотельных ОКГ имеют генераторы на гранате, излучающие на 14 длинах волн в диапазоне 0 946 до 1 83 мкм. Принцип действия умножителей частоты излучения ОКГ основан на нелинейном эффекте, взаимодействия мощного излучения с веществом. [20]

Лишь тогда, когда будет найден такой лазерный переход или будет разработан такой эталон длины волны, что появится возможность сравнивать частоты гетеро-динированием, абсолютные измерения частоты станут обычным делом. [21]

Как видно из результатов расчетов, для лазерных переходов, близких к идеальной четырехуровневой схеме ( Л ь 1338 нм, 1064 нм), основные затраты источника накачиси идут на преодоление потерь в резонаторе и расходы мощности накачжи. [22]

Высокий квантовый выход т) излучения в лазерном переходе у активного вещества, определенный в первом условии ( стр. На эффективность безызлучательной деградации энергии с метастабилыюго уровня и со всех промежуточных оказывают решающее влияние окружение молекулы или иона в среде, а также величина колебательных квантов окружающих молекул. Жесткость решетки и экранированность излучающего центра от колебательных релаксаций энергии в среду обеспечивают во многих случаях высокий квантовый выход. Жесткость решетки эффективно способствует получению лазерного эффекта в примесных кристаллах, содержащих, например, трехвалентный хром, который в более мягкой упаковке ( в растворе) не дает лазерного эффекта. [23]

Лазерное усиление возможно в том случае, если число лазерных переходов больше, чем число спонтанных переходов и переходов, связанных с поглощением вынуждающего излучения. [24]

Эффективность лазерного усиления, очевидно, зависит от вероятности лазерного перехода B2i и тем выше, чем больше эта вероятность. Большая вероятность лазерных переходов в полупроводниках и большая плотность энергетических состояний в зонах позволяет получить в лазерах на основе полупроводников хорошее лазерное усиление. [25]

Полное время жизни т электронных уровней, участвующих в лазерном переходе, равно т 1 / ( т - т -) 9 ис, где rs 100 не и тр 10 ис - времена жизни s - и р-состояиий ( см. разд. Ширина лэмбовского провала порядка ширины линии, обусловленной столкиовительиым уширеиием, выражение для которого дано в разд. [26]

Эффективность лазерного усиления, как видим, зависит от вероятности лазерного перехода 621 и тем выше, чем больше эта вероятность. Большая вероятность лазерных переходов в полупроводниках и большая плотность энергетических состояний в зонах позволяют получить в лазерах на основе полупроводников хорошее лазерное усиление. В твердотельных ( на основе твердых диэлектриков с примесями) и в газовых лазерах используются переходы в изолированных ионах, атомах или молекулах между дискретными уровнями. Усиление в них заметно ниже, чем в полупроводниковых лазерах, поэтому их размеры гораздо больше. [27]

Схематическое представление развития во времени усиления а ( К, потерь на поглощение х ( У и пиковой интенсивности импульса / ( К. ( К - число проходов импульса по резонатору. [28]

Несмотря на это, в лазере из-за большой ширины линии лазерного перехода возбуждается очень большое число продольных мод, которые независимо усиливаются. Взаимодействие различных мод со стохастическим распределением фаз описывается стохастическим гауссовым процессом. Абсолютное число флук-туационных выбросов равно сначала по порядку величины числу мод резонатора, из которых, однако, лишь небольшое число существенно превышает средний уровень интенсивности. Во временном представлении это соответствует сглаживанию и расширению флуктуационных выбросов амплитуды. [29]

В § 3 было отмечено, что, когда нижним уровнем лазерного перехода является основное состояние ионов, большая часть мощности накачки при пороговых условиях затрачивается на изменение разности населенностей, существующей при тепловом равновесии. [30]

Страницы: 1 2 3 4