Лазерный переход

Cтраница 3

Особенности усиления и съема инверсной населенности в неодимовых стеклах обусловлены спектроскопическими особенностями лазерного перехода F3 / t - 4 / 11 / 2 ионов Nd3 в стеклах - штарковой структурой линии перехода, неоднородностью уширения уровней, миграцией возбуждений и другими особенностями, о которых говорилось в гл. [31]

При определении плотности населенности NS верхнего лазерного уровня можно пренебречь конечной шириной лазерного перехода, так как ее учет дает лишь малую поправку. [32]

Те - эффективная отрицательная температура, определяющаяся плотностью заселенности верхнего и нижнего уровней лазерного перехода. Согласно выражению (7.1), теоретическая ширина полосы лазера по порядку величины равна 10 - 3 гц и менее. Но на практике ширина полосы составляет в лучшем случае несколько герц, так как преобладают другие факторы, вызывающие значительное возрастание спектральной ширины. В газовых лазерах практически достижимая предельная ширина определяется, по-видимому, тепловыми флуктуациями материала, из которого сделаны держатели зеркал лазера, а также неоднородностью показателя преломления усиливающей среды. Если отвлечься от природы ограничивающего механизма, то спектральная ширина линии лазера всегда оказывается гораздо более узкой, нежели ширина линии излучения спонтанных или тепловых источников света. В силу этой особенности лазеров и приходится разрабатывать специальные методы измерения. [33]

В зависимости от длины оптического резонатора и устройства его зеркал удается выделить тот или иной лазерный переход. Как правило, в гелий-неоновом лазере реализуется красное излучение, соответствующее переходу 3 - 1 с длиной волны 632 8 нм. [34]

Структура электронных оболочек атома неодима. а - укрупненная структура оболочек. б - тонкая структура четвертой оболочки Л / ( рядом с индексам оболочки указано количество электронов в ней. [35]

Поэому структура энергетических уровней электронов 4 / подоболочки, а значит, и структура оптических лазерных переходов ионов неодима не очень зависят от типа матрицы. Рассмотрим подробнее оба эти влияния. [36]

Этот нежелательный эффект также может иметь место, если генерирующий кристалл характеризуется большим поперечным сечением лазерного перехода. Кстати, поэтому кристалл YSA15012 - Nds, обладающий большим значением ое ( - 7 7 - 10 - 19 сл12) основного лазерного перехо да А ( 10641 5 А), не является в этом отношении оптимальным. [37]

Передача энергии в условиях, близких к резонансу. [38]

При электрической накачке, когда газ состоит из атомов одного сорта, населенность верхнего уровня лазерного перехода может происходить только в результате соударения атомов со свободными электронами. [39]

Большая постоянная времени наилучших в наши дни фотоэлектрических приемников 2) при отсутствии в настоящее время лазерных переходов, достаточно близких к первичным или вторичным эталонам длины волны, не позволяет непосредственно сравнивать частоты. Пока существует такое положение, возможны лишь относительные измерения частотной стабильности лазеров. [40]

Рассматривая принцип действия лазера, было принято, что уровень 2 начальный, а уровень / конечный данного лазерного перехода. [41]

В остальной части этого раздела рассмотрим процесс установления непрерывной генерации в одномодовых лазерах с однородно уширенной линией лазерного перехода. Хотя такая ситуация встречается редко, однако в этом случае рассмотрение оказывается не столь сложным, как при неоднородном уширении линий. [42]

В этих случаях магнитный момент МОС будет соответствовать магнитному моменту определенного иона металла, для которого необходимо рассмотреть потенциально возможные лазерные переходы. При сопоставлении электронных спектров поглощения и испускания МОС и соответствующего иона можно выявить сдвиги различных полос поглощения МОС относительно иона металла. [43]

В четырехуровневой системе устраняются некоторые недостатки, присущие трехуровневому лазеру, возникающие вследствие того, что нижний уровень лазерного перехода является основным уровнем молекулы. Как и в случае трехуровневой системы, под действием накачки система сначала возбуждается на сильно уширенный уровень 4, с которого затем молекулы переходят на уровень 3 путем быстрых безызлу-чательных процессов релаксации. С последнего затем осуществляются быстрые безызлучательные переходы на основной уровень. [44]

Обнаружение резких линий - очень чувствительный метод измерения малых оптических усилений, поэтому он обещает быть полезным при поиске новых лазерных переходов. [45]

Страницы: 1 2 3 4