Cтраница 1
Сегнетоэлектрические фазовые переходы 2.6. сме - из ГруППЫ l lmmm можно представить схемой, показанной на рис. 2.6: всего существует 3 несимметричные фазы; переходы с возникновением спонтанной поляризации вдоль оси 4 и в плоскости, перпендикулярной этой оси, могут происходить вполне независимо. Однако фазовый переход II рода из группы 4 / / remm, например, в m ( возникновение спонтанной поляризации в плоскости симметрии xz в направлении, не совпадающем с координатными осями), маловероятен. [1]
Сегнетоэлектрические фазовые переходы, для которых параметр порядка пропорционален не поляризации, а другой физической величине, имеющей другие трансформационные свойства, называются несобственными сегнето-электрическими фазовыми переходами, а вещества с такими переходами называют несобственными сегнетоэлектри-ками. [2]
Различают сегнетоэлектрический фазовый переход первого илвторого рода. [3]
Размытие сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах НБС связывают с неупорядоченностью размещения ионов Ва и Sr в структуре вольфрамовых бронз. Вследствие этой неупорядоченности элементарные ячейки становятся неидентичпыми, и параметры, определяющие сегнетоэлектрические свойства кристалла, меняются от одной ячейки к другой или от одного микроучастка к другому, что приводит к расширению фазового перехода. Наиболее четкий сегиетоэлектрический фазовый переход имеет место в соединении состава Ва0 етЗг, 33Nb2Oe, где реализуется наиболее упорядоченное катионное размещение. [4]
При сегнетоэлектрических фазовых переходах в кристаллах возникает спонтанная поляризация. [5]
Сегнетоэлектрическая точка Кюри - температура сегнетоэлектрического фазового перехода. [6]
Мы видим, что температурная зависимость спонтанной поляризации при сегнетоэлектрическом фазовом переходе типа порядок - беспорядок в приближении СМП совпадает с зависимостью, следующей из феноменологической теории для фазовых переходов II рода как, конечно, и должно быть. [7]
Как уже указывалось выше, кристаллы PMN и PZN имеют размытый сегнетоэлектрический фазовый переход. Очевидно, что сосуществование фаз может обусловить значительное рассеяние света, причем изменение температуры или приложение электрического поля, оказывающие влияние на количество и размеры областей различных фаз, должны изменять картины рассеяния света. Таким образом, исследование рассеяния света в этих кристаллах может дать сведения о свойствах и параметрах областей сосуществующих фаз. [8]
Необычная линейная зависимость спонтанной поляризации от температуры может служить признаком несобственного сегнетоэлектрического фазового перехода II рода. [9]
В [14] было определено, что для кристаллов KSr2Nb5015 выше температуры сегнетоэлектрического фазового перехода ( 155 С) выполняется закон Кюри - Вейсса и постоянная С для исследованных кристаллов такого состава лежит в пределах ( 2 - 4) 105 С. [10]
Описывается установка для одновременной регистрации экзоэлектронной эмиссии и спонтанной поляризации при сегнетоэлектрических фазовых переходах. [11]
Результаты расчета (9.2) - (9.4) имеют принципиальное значение; в частности, сегнетоэлектрический фазовый переход типа порядок - беспорядок также имеет много общего с описанной системой, только переменной CTR следует приписать определенный физический смысл. [12]
Выполнение этого условия соответствует бесконечному возрастанию статической диэлектрической проницаемости кристалла, характерному для сегнетоэлектрических фазовых переходов. [13]
Для сегнетоэлектрических кристаллов эти изменения очень существенны, поэтому коэффициенты rt h имеют аномальный скачок в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. Коэффициенты mijk не имеют аномальных скачков в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. [14]
Варьируя направление оси по отношению к элементам симметрии GI, можно определить все возможные изменения симметрии при сегнетоэлектрических фазовых переходах, когда параметром порядка является величина, пропорциональная спонтанной поляризации. [15]