Сегнетоэлектрический фазовый переход

Cтраница 2

Фазовый переход сегнетоэлектрика из параэлектри-ческого состояния в пироэлектрическое совершается при определенной температуре Гк, называемой температурой ( точкой) Кюри, и является сегнетоэлектрическим фазовым переходом. [16]

А), который еще допускает структура пирохлора ( VAM Vs-I) У00 99А), имеет возможность смещаться внутри кислородного окружения, благодаря чему становится возможным сегнетоэлектрический фазовый переход. У других пирохлоров или размер катиона А велик ( поэтому затруднено его проскакивание между двумя анионами, тесно его окружающими), или недостаточно высока поляризуемость составляющих пирохдор катионов. & г А1 зшви каждых двух из восьми связей Рб-0 сокращены более чем на 12 % по сравнению с суммой ионных радиусов Рб - и 0 ( у сегнетоэлектри-ка Ce / V& pOr, каждые две связи CcL-О сокращены только на & %), Поэтому ион РБ, очевидно, не может проскакивать между двумя сближенными анионами. Однако можно полагать, что и пирохлор fbfl & firj ( имеющий ромбоэдрически искаженную элементарную ячейку [ 10 J и высокую величину диэлектрической проницаемости) обладает спонтанной поляризацией. Причем эта поляризация является необратимой ( из-за того, что ион Рб не может перескакивать из одной потенциальной ямы в другую во внешнем электрическом поле) и существует в очень широком интервале температур. По-видимому, P / JjglV & jO является замороженным сегнетоэлектриком. Можно ожидать, что при очень высоких температурах ( например, выше 1000) спонтанная поляризация у PSgNBgO должна исчезнуть, а элементарная ячейка - стать кубической. [17]

Исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости 8 и сигнала ГВГ для различных соединений семейства стил-веллита свидетельствует о том, что во всех соединениях, за исключением LaBSiO5, реализуется сегнетоэлектрический фазовый переход II рода, Для LaBSi05 фиксируется температурный гистерезис и скачок s в точке Тс, что указывает на фазовый переход I рода. [18]

Этот результат является, конечно, приближенным, поскольку фактор Лорентца может существенно отличаться от указанного значения, однако он правильно оценивает порядок величины константы Кюри - Вейсса для сегнетоэлектрических фазовых переходов типа порядок - беспорядок. [19]

Как показано в предыдущей главе, теория Ландау дает возможность успешно объяснить аномалии основных термодинамических величин для сегнетоэлектрических кристаллов при фазовых переходах II рода и I рода, близких к переходам II рода. Однако возможно существование сегнетоэлектрических фазовых переходов, при которых такая пропорциональность не имеет места. [20]

В ( CoJ) - бораците между высокотемпературной кубической фазой и сегнетоэлектрической существует промежуточная фаза с малым искажением кубической решетки. Это вызывает двойное лучепреломление при температуре выше сегнетоэлектрического фазового перехода. [21]

Для сегнетоэлектрических кристаллов эти изменения очень существенны, поэтому коэффициенты rt h имеют аномальный скачок в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. Коэффициенты mijk не имеют аномальных скачков в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. [22]

Как титанат бария, так и используемые в качестве вторых компонентов указанные соединения являются сегнетоэлектрикаыи и принадлежат к структурному типу перовскита. Существенной особенностью этих сложных перовскитных соединений является наблюдаемый в них размытый сегнетоэлектрический фазовый переход. [23]

Известно, что у сегнетоэлектрвческих кристаллов приближение к фазовому переходу характеризуется резким возрастанием электрооптической и пьезоэлектрической эффективности. При этом не - существенно, каким образом это достигается - изменением температуры при классическом сегнетоэлектрическом фазовом переходе или частичный изменением ионного каркаса при морфотропном фазовом переходе, в том числе внутри сегнетоэлектрической фазы. [24]

Как видно, величина & сильно зависит от частоты и на 20 кгц при достаточно высоких температурах, в основном, определяется релаксационной составляющей, но при этом частота поля практически не изменяет положения максимумов. Этот факт доказывает их сегнетоэлектрическую природу, и, следовательно, мы можем трактовать высокотемпературный максимум, как сегнетоэлектрический фазовый переход из неполяризованного в спонтанно-поляризованное состояние ( температура этого максимума соответствует точке Кюри этого состава), а низкотемпературный - как фазовый переход в пределах сегнетоэлектрического состояния. [25]

Температурная зависимость спонтанной поляризации ( а и диэлектрической проницаемости ( б вдоль полярной оси 2 кристалла ТГС. [26]

Разнообразие структурных типов сегнетоэлектрических кристаллов свидетельствует, очевидно, о различии молекулярных механизмов возникновения спонтанной поляризации. Употребляя, однако, термин сегнетоэлектрические явления, мы имеем в виду комплекс свойств, общий для всех кристаллов, претерпевающих сегнетоэлектрические фазовые переходы. [27]

Изменения симметрии могут быть найдены по принципу симметрии Кюри. В общих чертах суть этого принципа сводится к тому, что элементами симметрии сложенных двух фигур будут только те, которые являются общими для каждой из фигур в отдельности. При сегнетоэлектрических фазовых переходах складываются элементы симметрии кристалла и спонтанной поляризации. Последняя, как уже отмечалось в гл. I, является полярным вектором и имеет симметрию хтт. Легко видеть, например, что для класса тЗт ( опять случай ВаТЮ3) полярный вектор, направленный по оси 4 кубической ячейки, приводит к группе 4тт, направленный по оси 2 - к группе тт2, по оси 3 - к группе Зт. [28]

В этом смысле они подобны ферромагнетикам. Появление спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках связано с сегнетоэлектрическим фазовым переходом. При температуре ниже температуры перехода материал находится в сегнетоэлектрическом состоянии, связанном со спонтанной поляризацией; при температуре выше температуры перехода материал находится в параэлектрическом состоянии. В параэлектрическом состоянии нет спонтанной поляризации, но проявляется заметная диэлектрическая нелинейность, т.е. зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля в материале. Именно диэлектрическая нелинейность и используется в СВЧ приборах, в которых под действием приложенного постоянного или низкочастотного поля изменяется диэлектрическая проницаемость материала по отношению к СВЧ полю, что приводит к изменению фазовой скорости волны в линии передачи или резонансной частоты СВЧ резонатора. [29]

Зависимость частот Y i. [30]

Страницы: 1 2 3