Коллекторный переход

Cтраница 2

Коллекторный переход находится под отрицательным смещением, поэтому уход электронов через него исключен. [16]

Вольт-амперная характеристика тиристора.| Зависимость коэффициентов передачи тока анодного тока тиристора. [17]

Коллекторный переход входит в состав обоих транзисторов. [18]

Коллекторный переход имеет значительно большую величину сопротивления. Поэтому шунтирующее действие емкости коллекторного перехода начинает сказываться при значительно более низких частотах. [19]

Некоторые схемы инжекции. [20]

Коллекторный переход, при отсутствии инжекции из эмиттера, имеет очень большое сопротивление - несколько мегаом. Поэтому в цепь коллектора можно включать нагрузку с большим сопротивлением, практически не изменяя значения коллекторного тока. [21]

Структура динистора ( а и его двухтранзисторный эквивалент ( б. [22]

Пока коллекторный переход работает в обратном направлении, практически все приложенное напряжение U падает на нем. Поэтому при больших значениях U следует учитывать ударную ионизацию в этом переходе. [23]

Вблизи коллекторного перехода поток дырок попадает под действие электрического поля обратно смещенного р-л-перехода. Это вызывает быстрый дрейф дырок через коллекторный переход в область коллектора, где они становятся основными носителями зарядов и легко доходят до коллекторного вывода. [24]

Концентрация неосновных носителей в области базы в зависимости от уровня инжекции. [25]

Вблизи коллекторного перехода VP быстро достигает значительной величины, и основным механизмом переноса неосновных носителей на этом участке становится диффузия. [26]

Транзистор в схеме с щей базой. [27]

Вблизи коллекторного перехода дырки оказываются под действием электрического поля источника эдс, увлекаются им через переход в коллекторную область и далее - к выводу коллектора, где рекомбинируют с электронами, поставляемыми через внешнюю цепь источником эдс. [28]

Три способа включения транзистора в электрическую цепь. [29]

Поскольку коллекторный переход включен в запирающем направлении, сопротивление его значительно превышает сопротивление материала базы и падение напряжения на базе оказывается пренебрежимо малым. Практически полное отсутствие электрического поля в базе приводит к тому, что дырки, вошедшие в базу из эмиттера, далее перемещается лишь за счет диффузии, распространяясь из области с высокой концентрацией вблизи эмиттера в область с низкой концентрацией, к коллектору. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5