Коллекторный переход

Cтраница 3

Поскольку коллекторный переход смещен в обратном направлении, то его сопротивление на несколько порядков выше сопротивления эмиттерного перехода. В цепи коллектора, следовательно, может быть включено достаточно большое сопротивление нагрузки. [31]

Через коллекторный переход, кроме того, протекает ток / К0, создаваемый неосновными носителями заряда, генерируемыми в базах. [32]

Токи в транзисторе. [33]

Через коллекторный переход всегда проходит еще очень небольшой ( не более единиц микроампер) неуправляемый обратный ток 1к0 ( рис. 4 - 5), называемый начальным током коллектора. Он неуправляем потому, что не проходит через эмиттерный переход. [34]

Входные ( а и выходные ( б статические характеристики транзистора с ОЭ. [35]

ЭБ коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от f / кэ 0 до i / кэ I - t / эв велика. На участке i / кл 1 i / вэ крутизна характеристик резко уменьшается. [36]

Через коллекторный переход протекает ток не / ко ( обратный ток коллекторного перехода при изолированном эмиттере), а ток значительно большей величины. Величина этого неуправляемого тока может достигать значения / к. Действительно, ток / ко создает на делителе г § - RT падение напряжения, отпирающее транзистор. Это напряжение усиливается транзистором. Ток коллектора при этом возрастает примерно в р раз и достигает значений Р / О. [37]

Транзистор типа PNP. [38]

На коллекторный переход подано обратное смещение, что помогает перемещению дырок из базы ЛГ-типа к коллектору Р - типа, и дырки переходят в область коллектора. Почти все внутреннее падение напряжения происходит на переходах, так что в базе электрическое поле почти отсутствует. Поэтому введенная дырка проходит район базы, в основном, благодаря дифрузии. Чем больше времени дырка находится в районе базы, тем больше вероятность ее рекомбинации с электроном. [39]

Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора при насыщении. [40]

Если коллекторный переход изготовлен методом диффузии, то концентрации носителей в базовой и коллекторной областях сравнимы и приходится учитывать и инжекцию электронов из базы в коллектор. В некоторых случаях эта составляющая может оказаться преобладающей. [41]

Поскольку коллекторный переход включен в обратном направлении, то все приложенное напряжение падает на нем и в первый момент после включения ток в цепи равен обратному току отдельно взятого коллекторного перехода кбо. [42]

Поскольку коллекторный переход специально не защищают, в крышку монтируют таблетку цеолита для стабилизации среды внутри корпуса. [43]

Временные зависимости напряжений на первом и втором эмиттерных переходах и тока через тиристор во время переключения тиристора из открытого в закрытое состояние. [44]

Почему коллекторный переход тиристора оказывается смещенным в прямом направлении при переходе тиристора в открытое состояние. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5