Коллекторный переход

Cтраница 4

Физическая П - образная схема транзистора. а - эквивалентная схема. б - физический смысл ее элементов. [46]

Через закрытый коллекторный переход всегда протекает малый по величине обратный ток / к0, пропорциональный напряжению, приложенному к коллекторному переходу. [47]

Почему коллекторный переход тиристора оказывается смещенным в прямом направлении при переключении тиристора из закрытого состояния в открытое. [48]

Если коллекторный переход многоэмиттерного транзистора смещен в обратном направлении, а каждый из п эмиттеров, за исключением / - го, заперт, то коллекторный ток создается только этим / - м эмиттером. Если коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерные переходы закрыты, то многоэмиттерный транзистор работает в инверсном режиме. Диффузия неосновных носителей заряда в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. Продиффундировавшие через базу носители заряда распределяются между эмиттерами транзистора. Коэффициент передачи по току для / - го эмиттера имеет значение B / i. Если все п эмиттерных переходов смещены в прямом направлении, то коэффициент передачи равен В. [49]

Емкость коллекторного перехода согласно измерениям составляет 0 5 - 0 8 мкмкф при напряжении коллектора - 10 в. Распределенное сопротивление коллектора Rc - около 100 ом вследствие малой площади эмиттера. Базовое сопротивление равно примерно 100 ом. [50]

Положение коллекторного перехода относительно границ может быть любым. [51]

Расчетные зависимости входного сопротивления от тока эмиттера и напряжения на коллекторе. [52]

Температура коллекторного перехода является функцией электрического режима работы транзистора, следовательно, при ее измерении необходимо максимально ослабить влияние как коллекторного напряжения, так и эмиттерного тока на температурно-зависимый параметр. [53]

Пробой коллекторного перехода объемный и равномерно распределен по площади однородного р - и-пере-хода. [54]

Емкость коллекторного перехода усреднена, так как напряжение на коллекторе изменяется в широких пределах. [55]

Емкость коллекторного перехода в основном определяется барьерной емкостью, так как коллекторный переход смещен в обратном направлении и диффузионная емкость коллекторного перехода пренеб-брежимо мала. [56]

Область коллекторного перехода обусловливает большую часть емкостных действий, существующих в кристаллическом триоде. Свойства этой области также определяют величину эффективной ширины базы, величину коэффициента усиления К-усилителя ( рис. 7.6) и допустимое максимальное смещение на коллекторе. Напряжение обратного смещения создает истощенную область при - d2 x dl, но вне этих пределов все атомы примеси нейтрализуются свободными ( избыточными) зарядами. Атомы примеси показаны на рис. 8.7 а расположенными для простоты на прямых линиях. [57]

Площадь коллекторного перехода должна быть значительно большей, чем эмиттерного. [58]

Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмиттерного перехода. [59]

Схема включения транзистора типа п-р - п. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5