Cтраница 2
Термическое окисление кремния может выполняться в однозонных диффузионных печах. [16]
Распределение примеси в полупроводнике при ионной имплантации.| Зависимость коэффициентов диффузии примеси от температуры. [17] |
Процесс диффузии проводится в однозонных или двухзонных диффузионных печах. Однозонные печи используются в случае жидких или газообразных источников диффузанта. [18]
Схема подачи газа при использовании фосфина, арсина или диборана в качестве источника диффузанта. [19] |
Но окойчанйи подготовительных операций пластины загружаются в диффузионную печь и проводится диффузия. [20]
Загонку бора через вскрытые окна в окисле производят в диффузионной печи при температуре 1000 - 1100 С. Поверхностная концентрация бора зависит от температуры диффузионного процесса. В качестве источников бора применяют его газообразные ( диборан ВаНб и трихлорид бора ВС13) или жидкие ( трибромид бора ВВг3) соединения. [21]
Физические свойства Si02 и Si3N4, полученных методом газофазной эпитаксии. [22] |
Реакция 4.17 происходит при газофазной эпитаксии при низком давлении с применением диффузионной печи ( рис. 4.33), позволяющей легко контролировать температуру. В результате получаются однородные слои нитрида кремния. Производительность процесса достаточно высока. Качество слоев 51зМ4 контролируется по удельному сопротивлению ( - 108 Ом-см), показателю преломления, скорости травления в кислоте HF и др. Слои SisN4 имеют высокую твердость и большую прочность на растяжение. [23]
Диффузия с твердым источником диарсенида цинка в закрытой ампуле осуществляется в вакуумной диффузионной печи при 720 С с использованием азота N2 в качестве газа-носителя. В качестве легирующих примесей применяются мышьяк и арсенид цинка. Их взвешивают в перчаточном боксе. [24]
Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [25] |
Обычно пластины укладывают в кварцевый носитель или лодочку и помещают в диффузионную печь. В диффузионной печи имеются длинная кварцевая труба и прибор для точного контроля температуры. Температурный контроль очень важен, поскольку скорость диффузии различных примесей в кремний в основном зависит от температуры. Диапазон применяемых температур колеблется от 900 до 1300 С в зависимости от конкретной примеси и технологии. [26]
Производится высокотемпературное химическое парофаз-ное осаждение нитрида кремния ( Si3N4) с использованием стандартной диффузионной печи. Источники газов: силан ( SiH4) и аммиак ( NH3); газом-носителем является азот. [27]
Автомат имеет восемь реакционных трубок, размещенных по две в четырех камерах агрегатированной диффузионной печи СДО-125 / 4 - А, каждая из которых снабжена автономней системой регулирования температуры. Каждые две реакционные трубки связаны с отдельным подающим механизмом и приводом вращения и, в свою очередь, имеют автономную систему подачи паров ЭОС, которое предварительно подогревается. На автомате можно одновременно осаждать различные по составу и сопротивлению рези-стивные пленки. Температура, расход паров ЭОС и скорость подачи керамических стержней через реакционную зону в каждой реакционной трубке могут устанавливаться автономно. [28]
Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [29] |
Этот метод заключается в том, что пластина подвергается воздействию высокой температуры в диффузионной печи. В печи содержатся необходимые добавки ( примеси) в парообразном состоянии, и в результате реакций в пластине формируются области с примесной электрической активностью р - или и-типа. [30]