Диффузионная печь

Cтраница 3

Окисление, обычно называемое термическим окислением, представляет собой процесс, который выполняют в высокотемпературных диффузионных печах. Температура в печах поддерживается в диапазоне от 800 до 1300 С. Также могут добавляться хлористые соединения в виде хлористого водорода ( НС1) для контроля нежелательных примесей. На современных предприятиях наблюдается тенденция к применению вертикальных печей окисления. Вертикальные печи лучше соответствуют требованиям строгого контроля загрязнений, большему размеру пластин и делают возможной более равномерную технологическую обработку. Они также позволяют экономить драгоценное место чистых помещений. [31]

Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [32]

Термин диффузия применяется для описания процесса перемещения примесей из областей высокой концентрации на выходном конце диффузионной печи в области низкой концентрации в кремниевой пластине. Диффузия представляет собой наиболее признанный метод образования переходов. [33]

В том случае, когда нормируется процесс, протекающий на автоматических установках, стендах, в диффузионных печах и других агрегатах подобного рода, основное или оперативное время определяется на основе имеющихся сведений или расчетов производительности этого оборудования. [34]

На заводе изготовлены и установлены станки для разрезки германия на диски, для вырезки из дисков шайб, травильные установки, диффузионные печи, фильтры для очистки водорода, сборные линейки, оснащенные необходимыми приспособлениями, и испытательные установки для проверки характеристик и параметров выпускаемых приборов. Качество выпускаемых вентилей систематически улучшается: повышена герметичность и механическая прочность конструкции, а также величина допустимого обратного напряжения. [35]

Примесь / ьтипа располагается на я-подлож-ке на площади, предусмотренной оксидной маской: примесь диффундирует в подложку после помещения кремниевой заготовки в диффузионную печь. [36]

В то же время это направление требует решения больших технических проблем, связанных с трудностями разделения пластин кремния увеличенной толщины на отдельные кристаллы, сохранением высокой однородности состава и плоскостности поверхности пластин большого диаметра, а также с необходимостью создания нового технологического оборудования ( диффузионных печей, установок ионной имплантации и травления и др.) для Si-пластин увеличенного диаметра. [37]

Примеси, образующие переходы, для диффузии и ионного легирования. [38]

Обычно пластины укладывают в кварцевый носитель или лодочку и помещают в диффузионную печь. В диффузионной печи имеются длинная кварцевая труба и прибор для точного контроля температуры. Температурный контроль очень важен, поскольку скорость диффузии различных примесей в кремний в основном зависит от температуры. Диапазон применяемых температур колеблется от 900 до 1300 С в зависимости от конкретной примеси и технологии. [39]

Схема получения пленок SiO2 окислением кремния. [40]

Аппаратура состоит из трубчатой диффузионной печи, имеющей вводы для реагирующих и инертных несущих газов, с регулировкой температуры, давления и влажности. [41]

Диффузией называется процесс переноса примесей в полупроводниковую пластину при высокой температуре. Этот процесс проводят в диффузионных печах при температуре 1200 С с применением диффузантов: фосфора, сурьмы, мышьяка для получения проводимости - типа; бора, галлия, индия-для получения проводимости / - типа. [42]

Диффузией называется процесс переноса примесей в полупроводниковую пластину при высокой температуре. Этот процесс проводят в диффузионных печах при температуре 1200 С с применением диффузантов: фосфора, сурьмы, мышьяка для получения проводимости - типа; бора, галлия, индия - для получения проводимости / ьтипа. [43]

При производстве полупроводниковых вентилей водоемкими технологическими процессами являются получение электронно-дырочных переходов и гальванопокрытие деталей вентилей, на которые расходуется около 40 - 50 % общего объема воды, потребляемой на технологические нужды. Оборотная вода используется для охлаждения диффузионных печей, водородных печей и испытательных стендов. [44]

Растворимость некоторых элементов в кремний в твердой фазе. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5