Дополнительный пик

Cтраница 2

Приготовление образца.| НЭТ-спектр контрольного образца ( без органического вещества на алюминиевой подложке. [16]

В качестве растворителя можно использовать воду, так как она не дает дополнительных пиков в наблюдаемом спектре. После заключительной операции - подпайки подводящих проводов - образец погружают в сосуд Дьюара с жидким гелием при температуре 4 К. [17]

С увеличением длины цепи R интенсивность этого пика растет, причем одновременно появляется еще дополнительный пик иона т / е 62, образующегося вследствие переноса на нитрогруппу одновременно двух атомов водорода от углеводородного радикала. Напомним, что аналогичный процесс наблюдается при фрагментации сложных эфиров кислот. [18]

Зависимость эффективности кристалла Nal ( Tl размером 7 6 X 7 6 см от энергии у-квантов ( для двух различных расстояний между источником и детектором. [19]

Следовательно, фотопик, соответствующий любым у-квантам с низкой энергией, всегда сопровождался дополнительным пиком с энергией на 28 кэв ниже. Вообще говоря, размеры дополнительного пика относительно основного пика возрастают с уменьшением энергии у-излучения, поскольку чем ниже энергия у-квантов, тем больше взаимодействий происходит вблизи поверхности кристалла. Для примера на рис. 95 приведено типичное амплитудное распределение, включающее дополнительный пик. [20]

В случае ухода характеристического рентгеновского излучения из кристалла Nal ( Tl) в спектре появляется дополнительный пик, расположенный приблизительно на 0 030 Мэв ниже пика полного поглощения. Этот пик называется пиком утечки / С-излучения иода или пиком вылета. [21]

Квадрупольные моменты ядер ведут к добавочному взаимодействию в молекуле, что проявляется в возникновении на резонансных кривых дополнительных пиков. [22]

Авторы полагают, что, поскольку 21 % циклической ДНК 186 присутствует в виде ди-мера, дополнительный пик относится к катенанам, состоящим из этого димера и циклической ДНК фага К. [23]

При введении в углеводородную матрицу депрессорной присадк С Н МСН в различных концентрациях на термограмме не проявляется дополнительных пиков по отношению к термограмме чистой смеси, что свидетельствует о сокристаллизации мо-локул нормальных парафинов и депрессорной присадки на стадии образования и роста надмолекулярных структур с сохранением кристаллической решетки совершенного типа, без дефектов и искажений. Отсутствие размывания пиков на термограмме свидетельствует о структурных переходах в системе без образования переходной сорбционно-сольватной фазы. [24]

Однако, согласно Аскарелли и Кальоти, в тех случаях, когда на правом склоне главного пика существует дополнительный пик, влияние величины / Ак чрезвычайно велико. [25]

Колебательные спектры ориентированных пленок полипептидов имеют пик при 1630 см-1, что указывает на структуру ( З - фор-мы; дополнительный пик при 1685 - 1700 см - связан с наличием антипараллельной упаковки. Амидная полоса V характерна для растянутой конформации ( 700 см -), для а-спирали ( 620 см-1) и для неупорядоченной формы ( 650 см -), хотя эти величины попадают в ту область ИК-спектров, где имеется много других пиков поглощения. [26]

В спектрах более высокого порядка отличие от простых спектров первого порядка проявляется различным образом - как отклонение от предсказанных значений интенсивности или присутствие дополнительных пиков. Интерпретация спектров более высокого порядка или спектров с наложением мультиплетов требует использования сложного математического аппарата. [27]

Схема распада радиоактивного изотопа также в значительной степени влияет на форму получающегося спектра, в одних случаях особенности схемы распада приводят к появлению в спектре дополнительных пиков, в других дают дополнительный вклад в непрерывное амплитудное распределение. [28]

В смесях с ( C ] 3H27) 2NCN, напротив, наблюдаются сильная деформация и размывание пиков фазовых и полиморфных переходов при одновременном появлении на термограмме дополнительных пиков, например при температуре 285 - 287К, уже при малых концентрациях присадки в смеси. [29]

Наши опыты показали, что если в основной полосе знак фотоэдс ( максимум около 425 нм) соответствует диффузии дырок в глубь слоя от освещаемой поверхности, то дополнительный пик ( максимум около 455 нм), появляющийся при подсветке с X 440 нм, имеет противоположный знак фотоэдс. У окрашенных слоев знак фотоэдс при подсветке изменяется и в области сенсибилизации. [30]

Страницы: 1 2 3 4