Бестигельная зонная плавка

Cтраница 3

Установка для выращивания монокристалла с подвижным ( а и неподвижным ( б. [31]

Учитывая основное назначение процесса бестигельной зонной плавки, к выбору материала для изготовления камеры, штоков и другой оснастки, находящейся в камере, предъявляют особые требования: низкая упругость собственных паров при температуре процесса, высокая коррозионная стойкость и отсутствие ферромагнитных свойств. Кроме этого, материал камеры должен выдерживать многократные знакопеременные температурные и механические нагрузки. Это объясняется тем, что плавка проводится при - 1700 К. Предварительно камера перед плавкой и после нее вакуумируется и заполняется инертным газом до избыточного давления. [32]

Тепловой узел уста-овки для бестигельной зонной плавки кремния с высокочастотным ( а и ре-зистивным ( б устройствами для подогрева выращиваемого монокристалла. [33]

В методах Чохральского и бестигельной зонной плавки растущий монокристалл не контактирует со стенками контейнера, а как бы вытягивается из расплава. Тем не менее рост его носит вынужденный характер, обусловленный тепловыми и скоростными режимами процесса выращивания. Это находит свое отражение в макроморфологии монокристалла, определяемой в условиях свободного роста структурой кристаллизуемого вещества. [34]

В настоящее время методом бестигельной зонной плавки получают монокристаллы кремния диам. [35]

В отдельных случаях метод бестигельной зонной плавки позволяет совместить процесс глубокой очистки кремния с последующим выращиванием его монокристалла. [36]

Для получения монокристаллов методом бестигельной зонной плавки расплавленную зону поликристаллического стержня перемещают от одного конца, где находится затравка, к другому. Расплавление выбранного участка осуществляют посредством индукционного нагрева. В процессе выращивания монокристалла, который ведут в вакууме или в атмосфере инертного газа, примеси либо вытесняются к концу слитка, либо улетучиваются из кристалла. В результате многих проходов можно получить высокоомный кристалл с большим временем жизни неосновных носителей и малым содержанием кислорода, поскольку при этом способе выращиваемый полупроводник не соприкасается со стенками катушки индуктора и другими частями установки. [37]

Зачем вращают кристалл при бестигельной зонной плавке. [38]

Имеется несколько работ но бестигельной зонной плавке бора [66- 68]; при этом обычно приме мялось эле кт р он i юл ученое нагревание. [39]

Для выращивания монокристаллов ферритов бестигельной зонной плавкой используют, как правило, вертикальный вариант метода, при котором в поликристаллическом ферритовом стержне с помощью источника локализованного нагрева создается узкая зона расплава. Эта зона удерживается силами поверхностного натяжения, действующими между расплавом и двумя твердыми поверхностями. При перемещении источника нагрева вдоль ферритового стержня ( обычно снизу вверх) расплавленная зона передвигается и таким образом осуществляется направленная кристаллизация. Обычно скорость роста кристаллов составляет несколько миллиметров в час. [40]

Зависимость коэффициента очистки т от диаметра стержня D при обычной очистке ( а и очистке с полузоной ( б при скорости передвижения зоны расплава, мм / мин. 1 - 4 0. 2 - 3 0. 3 - 2 0. 4 - 1 0. 5 - 0 5. 6 - 0 3. 7 - 0 1. [41]

При очистке кристаллов кремния бестигельной зонной плавкой важным является увеличение производительности процесса. Это может быть достигнуто несколькими путями [234]: одновременным проведением вдоль стержня наряду с зоной сквозного проплавления дополнительных зон несквозного проплавления ( полузон); одновременной плавкой нескольких стержней ( групповой плавкой); увеличением диаметра очищаемого стержня; комбинацией указанных способов. [42]

Почему для очистки кремния используется бестигельная зонная плавка. [43]

Используя метод тонких шеек при бестигельной зонной плавке, можно вырастить бездислокационные монокристаллы достаточно больших диаметра и длины. При выращивании бездислокационных монокристаллов бестигельной зонной плавкой более четко проявляется бугор на конической части монокристалла. [44]

Контрольный кристалл получают путем очистки бестигельной зонной плавкой стержня в вакууме таким количеством проходов, пока величина УЭС кристалла не будет соответствовать распределению бора. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5