Бестигельная зонная плавка
Cтраница 4
Высокочистые монокристаллы арсенида галлия получают методом бестигельной зонной плавки. Здесь также основное - уплотнение ампулы. [46]
Итак, несмотря на заманчивость использования бестигельной зонной плавки для ультраочистки неорганических объектов, можно видеть, что но ряду причин ( например, невысокое поверхностное натяжение, низкая электропроводность) применение такого процесса для этой пели в сколько-нибудь значительных масштабах встречает серьезные затруднения. [47]
Тепловые условия выращивания монокристаллов кремния при бестигельной зонной плавке непостоянны. [48]
Наибольшей чистотой обладают кристаллы, полученные бестигельной зонной плавкой. Однако следует заметить, что эффективность зонной очистки разлагающихся полупроводников Л ВУ не столь велика, как у InSb, поскольку исходные вещества ( фосфор и мышьяк) содержат летучие примеси, трудно удаляемые из расплава в условиях замкнутого объема. [49]
Наиболее чистые монокристаллы фосфида галлия получают бестигельной зонной плавкой. При скорости перемещения расплавленной зоны 1 - 2 см / ч и при равновесном давлении фосфора в ампуле получаются совершенно прозрачные слитки фосфида галлия. GaP, полученный методом плавающей зоны, содержит значительно меньше примесей и особенно углерода. [51]
Исследованы дефекты, обнаруженные на бездислокационном кремнии бестигельной зонной плавки, так называемые микропустоты. Установлено, что бездислокационные монокристаллы кремния при наличии большого количества пустых ямок травления не пригодны для изготовления детекторов ядерного излучения. [52]
 |
Устройство для поддержки выращиваемого монокристалла. [53] |
Одной из основных задач ( целей) бестигельной зонной плавки является получение очень чистых кристаллов кремния. В основе процесса очистки лежит различие в растворимости примесей в твердой и жидкой фазах очищаемого материала. [54]
Для очистки и получения монокристаллов GaAs применяют бестигельную зонную плавку. Арсенид галлия - темно-серое вещество, рентгенографическая плотность его 5 4 г / сма, постоянная решетки 5 65 А. Устойчив на воздухе, начинает окисляться при нагревании выше 600Р С. [55]
Для очистки и получения монокристаллов GaAs применяют бестигельную зонную плавку. Арсенид галлия - темно-серое вещество, рентгенографическая плотность его 5 4 г / см3, постоянная решетки 0 565 нм, устойчив на воздухе, начинает окисляться при нагревании выше 600 С. [56]
Высокочастотный нагрев используется при получении монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, очистке германия, получении полупроводниковых соединений А3В5 и других процессах. Все большее распространение находит индукционный нагрев и в производстве эпитаксиальных слоев. [57]
При обслуживании высокочастотных установок ( например, устано-зок бестигельной зонной плавки) появляется опасность воздействия на 1еловека высокочастотного электрического поля. Это поле, воэни-сающее при работе генератора установки бестигельной зонной плавки, три воздействии на организм человека вызывает нарушение нормаль-юй работы нервной, сердечно-сосудистой и кроветворной систем, зозможно также повреждение хрусталика глаза. [58]
Качество монокристаллов ортоферрита Y, выращенного - методом бестигельной зонной плавки, характеризуется полушириной кривой качания 10 - 14 и подвижностью доменной стенки более 6000 см / с - Э при комнатной температуре. [59]
 |
Схема аппарата с магнитным приводом для выращивания монокристаллов по методу Чохраль-ского. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5