Плотная плазма
Cтраница 1
Плотная плазма может устойчиво существовать при высоких температурах ( чаще всего тысячи градусов) и больших давлениях ( нижняя граница зависит от температуры и меняется от вещества к веществу в пределах от десятков до миллионов атмосфер) - условиях, исключительно трудных для практической реализации. Это, видимо, и объясняет, почему ее свойства до сих пор известны мало. [1]
Плотную плазму при медленных процессах ( характерная частота мала по сравнению с плазменной) можно считать квазинейтральной, т.е. плотности электронов и ионов равными. В желобковых колебаниях частицы плазмы смещаются в плоскости, перпендикулярной магнитному полю. Такое движение квазинейтральной плазмы описывается уравнением, сходным по виду с уравнением колебаний плоскопараллельного течения идеальной несжимаемой стратифицированной жидкости. Стратифицированной называют жидкость, плотность которой меняется поперек линий тока. Чтобы убедиться в этом, сложим уравнения движения ионов и электронов. [2]
Равновесие плотной плазмы в магнитном поле достаточно точно описывается уравнениями магнитной гидродинамики. Из этих уравнений видно, что плазма диамагнитна - она расталкивает силовые линии, и соответственно магнитное удержание можно рассматривать как удержание плазмы давлением магнитного поля. [3]
Для плотной плазмы могут быть применены представления сплошной среды. По сравнению с нейтральным газом плазма характеризуется рядом дополнительных безразмерных параметров, среди которых отметим произведение ларморовской частоты на время между столкновениями, отношение дебаевского радиуса экранирования к характерному размеру течения, отношение индуцированного магнитного поля к приложенному, характеризуемое магнитным числом Рейнольдса Remi отношение пондероморотных сил к инерционным, отношение магнитного давления к гидродинамическому. [4]
 |
КГ - клистронный генератор, ДТ - двойной тройник, ФВ - фазовращатель, AT - аттенюатор. [5] |
Для плотных плазм ( г1016 - 1017 см-3) может использоваться оптическая лазерная интерферометрия. При определении концентрации атомов ее чувствительность поднимется на 6 - 10 порядков для тех атомов, для к-рых есть близколежащие к частоте зондирующего луча резонансные переходы. [6]
В более плотную плазму, где п, Пщ, излучение не проникает, отражаясь от границы, на которой п, а лвр. [7]
В плотной плазме уширение и сдвиг спектральных линий вызываются взаимодействием излучающего атома или иона с окружающими частицами. При этом наиболее важным оказывается взаимодействие излучателя с электронами и ионами плазмы. Взаимодействие с нейтральными атомами того же сорта, что и излучающая система, может приводить к резонансному уширению, если одно из состояний в линии имеет оптически разрешенный переход в основное состояние. Взаимодействие с атомами другого сорта приводит к ван-дер-ваальсовскому уширению. Оба эти вида уширения в плазме с развитой ионизацией ( при степенях ионизации, превышающих 0 01) малосущественны. [8]
В плотной плазме ленгмюровская частота значительно больше всех характерных частот. [9]
В плотной плазме длина экранирования даже и при высоких температурах крайне мала. При этом энергия плазмы уменьшается за счет взаимного притяжения каждой частицы и окружающей ее атмосферы с избытком противоположных зарядов. [10]
В плотной плазме профили линий определяются главным образом взаимодействием излучателей с окружающими частицами. Этот тип уширения, который обычно называют уширением под действием давления, можно подразделить на резонансное, вандерваальсово и штарковское. Первое обусловлено взаимодействием излучателей с атомами того же сорта, второе - с атомами другого сорта и последнее - взаимодействием с заряженными частицами. При концентрациях ионов и электронов, превышающих 1 %, преобладают дальнодействующие кулоновские силы и мы имеем дело только со штарковским уширением. [11]
В плотной плазме, о) с о) р, дисперсионные свойства влияют на форму и ширину линии ( см. § 1 гл. [12]
В плотной плазме эта вероятность возрастает за счет двух причин: экранирования и квантовых эффектов; обе они ведут к увеличению скорости ядерных реакций. Роль второго из этих факторов показана на рис. 5.4, где видно, что при температурах выше 108 К кулоновское отталкивание становится несущественным. [14]
В плотной плазме при ДАгд 1 преобладающим оказывается рассеяние на крупномасштабных ( по сравнению с гр) тепловых и нетопловых колебаниях и флуктуациях плотности плазмы ( зарядов Z), В случае тепловых флуктуации интенсивность рассеяния может превысить томсоновскую в Z раз, в контуре линии возникает острый пик. На этом основываются предложения по измерению ионной темп-ры. В плазме с высоким уровнем надтепловых флуктуации рассеяние определяется этими колебаниями. Исследование зависимости Дсо ( ДА1) позволяет определить амплитуды и дисперсионные характеристики нетепловых колебаний в плазме. [15]
Страницы: 1 2 3 4