Плотная плазма

Cтраница 3

Диаграмма пе - Т, поясняющая область применимости метода псевдопотенциала. [31]

Поэтому метод исследования плотной плазмы, предложенный в [32], возможно, дает неплохие результаты и в некоторых случаях, когда рассмотренные ограничения нарушаются. [32]

В спектроскопии оптически плотной плазмы [174] часто используются различные приемы однопараметри-ческого представления функции источника, позволяющие получить простые аналитические выражения для контура линии излучения / ( v - v0), где v - текущая ( безразмерная) частота, v0 - центр линии, для простоты принимаемой симметричной. [33]

Однако для не очень плотной плазмы часто пользуются столкновительным членом больцмановского типа, так как при соответствующем обрезании пределов интегрирования получаются те же результаты, что и при использовании уравнения Ландау. [34]

Снимки течения в сборке. [35]

Исследованы отражательные свойства плотной плазмы ксенона на длине волны Л - 694 нм. [36]

Поэтому исследование свойств плотной плазмы одновалентных газов и, в частности, щелочных металлов представляет особый интерес. Видимо, такими соображениями руководствовался автор работы [10], выбравший в качестве исследуемого объекта пары цезия в закритическом состоянии. Вероятно, цезию дано предпочтение здесь ввиду малого потенциала ионизации и большого диаметра его атома. Результаты работы [10] также качественно подтверждают металлический характер электропроводности цезиевой плазмы. [37]

Электронный ток в плотной плазме, как показывает теоретический анализ [9], определяется теми же параметрами, что и в разреженной плазме. [38]

Такими параметрами может обладать очень плотная плазма некоторых разрядов. Область / / / соответствует неидеальной вырожденной плазму ( А - I, т) нн 1), а область IV - идеальной вырожденной плазме ( А 1, 1кв) Этим условиям удовлетворяют газ в металлах, металлоаммиачкые растворы, сильно легированные полупроводники, ядерная жидкость в сверхплотных звездах. [39]

Выше показана возможность образования плотной плазмы в процессе функционирования единичной ячейки пятна. Рост тока приводит к увеличению количества эктонов и укрупнению капель. Возникновение крупных плазменные сгустков на некотором удалении от поверхности катода возможно при переходе пятна на новое место, когда в зону его действия попадает капля, образованная при функционировании предыдущего катодного пятна. Этот процесс вполне вероятен, поскольку скорость перемещения пятна по поверхности катода ( - 104 см / с) сравнима со скоростью полета капли. [40]

Недавно обсуждались оптические спектры плотной плазмы [275], в частности поведение коэффициента поглощения. Проводилось также обсуждение на основе модели ограниченного атома [191], но изучение плотной плазмы на основе последовательной теории многих тел пока остается нерешенной проблемой. [41]

А см2 излучение образующейся плотной плазмы имеет непрерывный спектр, близкий к спектру абсолютно черного тела с температурой Т 40 000 К. [42]

Новый прием пирометрии оптически плотной плазмы. [43]

Обратные задачи спектроскопии оптически плотной плазмы - В кн.: Прикладная спектроскопия. [44]

Мы рассмотрим здесь случай достаточно плотной плазмы, хотя это совершенно несущественно. [45]

Страницы: 1 2 3 4