Плазмон

Cтраница 3

Такие продольные осцилляции называются связанными плазмон - LO фононными модами. Более высокочастотная ветвь ( L) для CJP CCJL стремится к CJL, тогда как нижняя ветвь ( L -) стремится к CJT, частоте ТО фонона. [31]

Схема, иллюстрирующая получение решения для интерфейсного фонона UJIF из. [32]

В этом случае (9.35) описывает интерфейсные плазмоны. Следовательно, в случае интерфейса между полярным полупроводником ( например, GaAs) и неполярным ( например, Ge или S1) должна существовать одна интерфейсная мода в области частот CJTO FI LO ( рис. 9.17), тогда как в случае интерфейса между двумя полярными полупроводниками, к примеру, GaAs и AIAs, должно быть две интерфейсных моды, одна GaAs-подобная, а другая AIAs-подобная. [33]

Вопрос об определении комплексных энергий плазмонов рассмотрен в разд. [34]

Для продольных волн вообще и леыгмюровских плазмонов в частности появляется еще один, очень эффективный механизм поглощения энергии - затухание Ландау. [35]

За этой областью становится возможным распад плазмона на пару электрон - дырка при сохранении момента и энергии. Этот результат является артефактом ПХФ. В частности, затухание плазмона в длинноволновой области обусловлено главным образом распадом на пару электрон - дырка [186], приводящим к тому, что время жизни плазмона пропорционально krz. Необходимо подчеркнуть, что эта ситуация совершенно отличается от случая твердых или жидких металлов. Распад плазмона в одну пару электрон - дырка возможен даже при k - - О и при условии, что избыточный импульс, требующийся для этого процесса, обусловлен ионами. [36]

Экспериментальные результаты, свидетельствующие о существовании плазмонов в органических твердых телах, приведены на рис. 3.1.3 и 3.1.4. На рис. 3.1.3 представлены зависимости вероятности энергетических потерь в полистироле от энергии падающих электронов. [37]

Наиболее точные измерения анизотропии закона дисперсии плазмонов, выполненные ко времени написания этой книги, можно найти, по-видимому, в работе [3], в которой исследовались потери энергии быстрых электронов в кремнии. В этом смысле с точки зрения коллективных колебаний валентные электроны кремния должны вести себя примерно так же, как в алюминии. [38]

Таким образом, учет нулевой энергии плазмонов приводит к существенному изменению структурного фактора, соответствующего основному состоянию электронной жидкости. [39]

Недавно сообщалось [1193] об экспериментальном исследовании плазмонов в интеркалированном графите. Много теоретических работ посвящено слоистым электронно-дырочным системам, свойства которых обсуждаются в § 7 гл. [40]

Из (12.28) видно, что для объемных плазмонов полуширина углового распределения дается выражением Э ЙЕ. Для электронов с энергией 50 - 100 кэВ и характеристическими потерями АЕ от 10 до 20 эВ эта полуширина составляет величину порядка 10 - 4 рад. Ее можно сравнить с углом рассеяния приблизительно в 10 - 2 рад для первого брэгговского отражения для простых материалов. [41]

Квант плазменных колебаний е йсор называют плазмоном, Плазмоны подчиняются статистике Бозе-Эйнштейна. Согласно ( 32), при плотностях электронов, характерных для металлов, плазменная частота соответствует довольно большой энергии ( е порядка 5 - 30 эВ), поэтому такие колебания не возбуждаются при тепловых энергиях, и следовательно, плазмоны не оказывают влияния на термодинамические свойства электронной системы. [42]

Видно отчетливое поглощение, связанное с возбуждением плазмона ( л 1), наложенное на друдевский фон, соответствующий поглощению пространственно немодулированной ( я 0) компоненты поля излучения. [43]

В формуле (12.67) W1 есть плотность энергии плазмонов, не находящихся в резонансе с частицами пучка; резонансных плазмонов здесь практически нет. [44]

Образование грексонов до известной степени аналогично возбуждению плазмонов движущимся в плазме электроном. Однако в отличие от плазмонов грексоны могут становиться неустойчивыми и претерпевать сжатие, что ведет к быстрому усилению их начальных флуктуации. [45]

Страницы: 1 2 3 4