Cтраница 2
Так как симплекс-решетчатый план является насыщенным, дисперсию предсказанного значения определяют по результатам повторных измерений. [16]
Предложенная в [41] модификация симплекс-решетчатого плана, основанная на перекодировании переменных, позволила без особого усложнения расчетных формул оценивать коэффициенты математической зависимости состав - свойство в случае, когда локальная область является усеченным симплексом. [17]
В случае прямого произведения линейного симплекс-решетчатого плана и ортогональных планов все коэффициенты р в неупрощенной модели статистически независимы. [18]
![]() |
Область исследования температуры кипения в системе К2НР04 - К2С03 - Н20. [19] |
Для получения уравнения регрессии был составлен симплекс-решетчатый план относительно псевдокомпонент г, z2, z3; по формуле ( VI. Уравнения регрессии второго и непол пого третьего порядков оказались неадекватными. Средние результаты у измерения температуры получены по двум параллельным опытам. [20]
В настоящее время наибольшее применение получили симплекс-решетчатые планы Шеффе [ [144], которые обеспечивают равномерное распределение экспериментальных точек по ( q - 1) - мерному симплексу. Экспериментальные точки представляют q, л - решетку на симплексе, где q - число компонентов смеси, л - степень полинома. [21]
Для получения уравнения регрессии был составлен симплекс-решетчатый план относительно псевдокомпонент z, zz, гз; по формуле (VI.120) определено содержание исходных компонентов в экспериментальных точках. Уравнения регрессии второго и неполного третьего порядков оказались неадекватными. Используя свойство композиционное симплекс-решетчатых планов, матрица планирования была достроена для получения уравнения регрессии четвертого порядка. [22]
![]() |
Область исследования температуры кипения в системе К2НРО4. [23] |
Для получения уравнения регрессии был составлен симплекс-решетчатый план относительно псевдокомпонент zi, Z2, z3; по формуле (VI.120) определено содержание исходных компонентов в экспериментальных точках. Уравнения регрессии второго и неполного третьего порядков оказались неадекватными. Средние результаты у измерения температуры получены по двум параллельным опытам. [24]
В пространстве псевдокомпонент осуществленный план представляет собой симплекс-решетчатый план первого порядка. [25]
В [253] был предложен способ применения симплекс-решетчатых планов для построения зависимостей свойств от состава для многофазных систем. При этом предполагались априорное разбиение ожидаемой поверхности на относительно гладкие участки, поиск самостоятельных моделей для каждого из этих участков и последующая экстраполяция моделей ( аналитическая или графическая) для выявления границ между фазовыми областями. [26]
В [256] сделано обобщение и для случая симплекс-решетчатых планов от смесевых переменных, а в [283] - для произвольных планов от смесевых или смесевых и независимых количественных переменных и ортогональных планов от качественных факторов. [27]
Формулы для вычисления коэффициентов канонических полиномов первого и второго порядков по данным симплекс-решетчатых планов первого и второго порядков также идентичны известным формулам. [28]
Так как и концентрация ингибитора коррозии анодного действия доминирует в смеси, то вместо симплекс-решетчатого плана типа Шеффе [130, 131], обычно применяемого в планировании экспериментов при условии SXil, можно использовать план, основанный на независимом варьировании четырех компонентов. [29]
При получении математических описаний процесса смешения используют обычно один из видов насыщенного плана, так называемый симплекс-решетчатый план. В этом плане определяют свойства каждого индивидуального компонента, а далее свойства всех возможных парных смесей при равном содержании компонентов. Рассмотрим определение коэффициентов Pi и р - / по результатам реализации симплекс-решетчатого плана. [30]