Полупроводниковая пластина

Cтраница 2

Восемь полупроводниковых пластин 5 укладывают на столики центрифуги 7 при откинутом колпаке 4 камеры. При вращении пластины удерживаются на столиках присосом. После закрытия колпака включают центрифугу и подают форсункой 1 на пластины тонкораспыленный проявитель. Затем пластины с проявленным слоем фоторезиста промывают и сушат, не вынимая их из камеры. Этот способ проявления фоторезиста довольно эффективен. [16]

Часть светочувствительной полупроводниковой пластины между металлическими контактами является рабочей. [17]

Часть светочувствительной полупроводниковой пластины между металлическими контактами является рабочей. В качестве светочувствительного материала в основном используют полупроводниковые соединения: сульфид или теллур ид кадмия, сернистый свинец, антимонид индия. Промышленностью выпускается большое количество типов фоторезисторов в различном конструктивном исполнении. [18]

Если полупроводниковую пластину бесконечно долго освещать прямоугольными импульсами света, до каких пор в ней будет возрастать концентрация носителей заряда. [19]

В полупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда - стоком. На границе раздела пластин пир возникают электронно-дырочные переходы. К этим переходам в непроводящем направлении приложено входное напряжение ывх. [20]

Зависимость сопротивления магниторези-стора от магнитной индукции.| Зависимость маг-ниторезистивного отношения от удельной проводимости полупроводника. [21]

В плоской полупроводниковой пластине при воздействии магнитного поля в направлении, перпендикулярном плоскости пластины, поле Холла оказывается ослабленным за счет шунтирующего действия токовых электродов. В результате сила Лоренца, воздействующая на электроны, оказывается скомпенсированной не полностью, и траектории их движения искривляются. [22]

Но вот полупроводниковые пластины и шаблоны подготовлены, После этого верхний слой кремниевой пластинки окисляется в атмосфере кислорода ( или другим способом) и снова превращается в окисел кремния. Делается это потому, что на поверхности пластинки необходимо создать непроводящий слой, a SiO2 почти идеальный материал для этих целей - хороший изолятор, образует очень прочное покрытие, допускает точный контроль толщины, хорошо защищает подложку от проникновения примесей, где они не нужны, а при необходимости легко удаляется, например травлением. [23]

Для съема полупроводниковой пластины с нанесенной сеткой рисок необходимо стол полуавтомата соединить с атмосферой через предусмотренный в вакумной системе трехходовой кран. [24]

При совмещении полупроводниковой пластины с фотошаблоном пластину укладывают на прокладку полусферы 27 и она удерживается на ней вакуумом, создаваемым вакуумным насосом и передаваемым к полусфере, столику и прокладке по трубопроводам и проточкам, имеющимся в стойке 24, и отверстию в полусфере. [25]

Влияние формы полупроводниковой пластины на эффект Гаусса может быть уменьшено, если измерения провести на длинном тонком стержне. Тем не менее, неоднородности распределения примесей также влияют на гальваномагнитные эффекты, правда, менее явно, чем форма полупроводниковой пластины магниторезистора. Так, например, монокристаллы антимонида индия с примесью железа дают сильную анизотропию поперечного изменения сопротивления в магнитном поле даже тогда, когда неоднородность не обнаруживается при холловских измерениях. [26]

Скорость резания полупроводниковых пластин зависит от диаметра проволоки и скорости ее перемещения, зернистости абразива и его количества, а также от давления пластины на проволоку. Для резания полупроводниковых пластин применяют проволоку из вольфрама, нержавеющей стали и нихрома. В некоторых случаях пригодна проволока из магнитных материалов, а в качестве абразива - порошок феррита. Диаметр проволоки 0 05 - 0 15 мм; при этом ширина реза равна соответственно 0 08 - 0 2 мм. Скорость перемотки проволоки обычно регулируют в пределах 150 - 500 мм / мин, что обеспечивает ее равномерный износ. [27]

Очистку поверхности полупроводниковых пластин от жировых и механических частиц производят ультразвуковым, струйным и гидромеханическим методами, а также путем кипячения в органических растворителях. Обезжиривание кипячением в органических растворителях осуществляют следующим образом. Полупроводниковые пластины в специальных кассетах погружают в ванны из кварца или фторопласта, наполненные органическим растворителем. Нагревают растворитель электрическими нагревателями или с k помощью змеевиков с паром. Недостаток данного метода - возможность повторного загрязнения полупроводниковых пластин, которое не удаляется, а остается в том же объеме. Кроме того, скорость процесса очистки кипячением в органических растворителях невысока. [28]

Технологическая камера.| Схема установки для химической обработки. [29]

Эффективность очистки полупроводниковых пластин повышается при применении ультразвуковых колебаний, так как при воздействии ультразвука на жидкость возникает явление кавитации. Мощные гидродинамические потоки, образующиеся в жидкости под действием ультразвука, вызывают интенсивное ее перемещение, которое также способствует очистке поверхности пластин. Для очистки пластин применяется установка УЗУ-025, которая состоит из ультразвукового генератора и ультразвуковой ванны. [30]

Страницы: 1 2 3 4